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1. (WO2012099263) NANOIMPRINTING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/099263    International Application No.:    PCT/JP2012/051284
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 17.01.2012
IPC:
G03F 7/00 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP) (For All Designated States Except US).
TATSUGAWA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIDA, Masafumi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TATSUGAWA, Atsushi; (JP).
YOSHIDA, Masafumi; (JP)
Agent: YANAGIDA, Masashi; YANAGIDA & Associates, 7F, Shin-Yokohama KS Bldg., 3-18-3, Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP)
Priority Data:
2011-008519 19.01.2011 JP
Title (EN) NANOIMPRINTING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE NANO-IMPRESSION
Abstract: front page image
(EN)Nanoimprinting pattern formation properties are improved compared to conventional techniques. A mold (1) equipped with a substrate (12) having a fine pattern (13) of protrusions and recesses and a mold release layer (14) formed along the pattern (13) of protrusions and recesses on the surface thereof is employed to press resist (3) coated on a substrate (2), to form a resist pattern, to which the pattern (13) of protrusions and recesses is transferred. The thickness of the mold release layer (14) and the pressing force with which the mold (1) is pressed against the resist (3) are controlled such that the line width of the resist pattern becomes a desired value. The width of the lines of the resist pattern is controlled by this configuration.
(FR)L'invention concerne un procédé caractérisé par une amélioration de propriétés de formation de motifs par nano-impression en comparaison de techniques conventionnelles. Un moule (1), équipé d'un substrat (12) présentant un motif fin (13) de protubérances et de renfoncements et d'une couche (14) de démoulage formée le long du motif (13) de protubérances er de renfoncements sur sa surface, est employé pour comprimer une réserve (3) appliquée sur un substrat (2) afin de former un motif de réserve, auquel est transféré le motif (13) de protubérances et de renfoncements. L'épaisseur de la couche (14) de démoulage et la force de compression avec laquelle le moule (1) est plaqué contre la réserve (3) sont régulées de telle façon que la largeur de trait du motif de réserve prenne une valeur souhaitée. La largeur des traits du motif de réserve est régulée par cette configuration.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)