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1. (WO2012098826) SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE AND SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/098826    International Application No.:    PCT/JP2012/000050
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 06.01.2012
IPC:
C30B 15/00 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (For All Designated States Except US).
SUGAWARA, Kosei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUMOTO, Suguru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIMADA, Toshiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HOSHI, Ryoji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SUGAWARA, Kosei; (JP).
MATSUMOTO, Suguru; (JP).
SHIMADA, Toshiro; (JP).
HOSHI, Ryoji; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Priority Data:
2011-008433 19.01.2011 JP
Title (EN) SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE AND SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL
(JA) 単結晶製造装置及び単結晶製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention is a single crystal manufacturing device having a crucible for accommodating a raw material melt, a heater for heating the raw material melt, cooling tubes which are forcibly cooled by a cooling medium, and a cooling chamber for accommodating the same, the device being characterized in that a heat-blocking member having a thermal insulating material is disposed in the vicinity of an interface between the raw material melt and a single crystal undergoing upward pulling, so as to surround the single crystal undergoing upward pulling; the cooling tubes are disposed above the heat-blocking member so as to surround the single crystal undergoing upward pulling; and a cooling tube outer periphery thermal insulating material is disposed surrounding the cooling tubes with a spacing being provided from the outer periphery of the cooling tubes. There is thereby provided a single crystal manufacturing device and manufacturing method capable of improving productivity and yield of single crystals and of minimizing power consumption by improving the cooling capacity of the cooling tubes without causing solidification or dislocation to occur on the melt surface, and by increasing the upward pulling speed during the manufacture of a defect-free single crystal.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de fabrication d'un monocristal ayant un creuset pour recevoir une matière fondue brute, un dispositif de chauffage pour chauffer la matière fondue brute, des tubes de refroidissement qui sont refroidis de manière forcée par un milieu de refroidissement, et une chambre de refroidissement pour les recevoir, le dispositif étant caractérisé en ce qu'un élément bloquant la chaleur ayant une matière d'isolation thermique est disposé au voisinage d'une interface entre la matière fondue brute et un monocristal subissant un tirage vers le haut, de façon à entourer le monocristal subissant un tirage vers le haut ; les tubes de refroidissement sont disposés au-dessus de l'élément bloquant la chaleur de façon à entourer le monocristal subissant un tirage vers le haut ; et une matière d'isolation thermique de périphérie externe de tube de refroidissement est disposée entourant les tubes de refroidissement, un espacement étant prévu à partir de la périphérie externe des tubes de refroidissement. De cette façon, il est fourni un dispositif de fabrication de monocristal et un procédé de fabrication de monocristal aptes à améliorer une productivité et un rendement de monocristaux et à rendre minimale une consommation d'énergie par amélioration de la capacité de refroidissement des tubes de refroidissement sans amener une solidification ou une dislocation à avoir lieu sur la surface de matière fondue et par augmentation de la vitesse de tirage vers le haut pendant la fabrication d'un monocristal sans défaut.
(JA) 本発明は、原料融液を収容するルツボ、前記原料融液を加熱するヒーター、冷却媒体によって強制冷却される冷却筒及びこれらを収容する冷却チャンバーを有する単結晶製造装置であって、前記原料融液と引上げ中の単結晶との界面近傍において、前記引上げ中の単結晶を囲繞するように、断熱材を有する遮熱部材が配置され、該遮熱部材の上方に、前記引上げ中の単結晶を囲繞するように前記冷却筒が配置され、該冷却筒を囲繞するように、前記冷却筒外周との間に空隙を設けて冷却筒外周断熱材が配置されたものであることを特徴とする単結晶製造装置である。これにより、融液表面における固化や有転位化を生じさせることなく冷却筒の冷却能力を向上させ、無欠陥の単結晶製造時における引上げ速度を高速度とし、それによって単結晶の生産性及び歩留まりを向上させ、かつ消費電力を抑制することができる単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)