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Pub. No.:    WO/2012/098801    International Application No.:    PCT/JP2011/079537
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 20.12.2011
H04N 5/3745 (2011.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/32 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (For All Designated States Except US).
FUJITA Kazuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KYUSHIMA Ryuji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORI Harumichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FUJITA Kazuki; (JP).
MORI Harumichi; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2011-007019 17.01.2011 JP
(JA) 固体撮像装置
Abstract: front page image
(EN)This is a solid imaging device (10) which is provided with an optical receiving unit (20) which has pixels (P1,1 to PM,N) which each include a transistor (21) and a photodiode (22), read-out-use wires (R1 to RN) connected to the transistor (21), a signal output unit (40) for sequentially outputting a voltage value corresponding to the amount of charge input through each of the read-out-use wires (R1 to RN), potential modification-use switches (50) for switching the potential of the read-out-use wires (R1 to RN) to a potential Vdr which is separate from the input potential of an integration circuit (42) of the signal output unit (40), and a control unit (6). The control unit (6), after elapse of a read-out period in which voltage values corresponding to the amount of charge generated at the pixels (P1,1 to PM,N) are sequentially output from the signal output unit (40), switches the potential of the read-out-use wires (R1 to RN) to the separate potential Vdr during a predetermined period which is included in the interim until the starting of the next read-out period. As a result, a solid imaging device is achieved which is capable of enhancing detection accuracy of incident light at each pixel.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif d'imagerie à semi-conducteur (10) comprenant : un module de réception optique (20) ayant des pixels (P1,1 à PM,n) qui comprennent chacun un transistor (21) et une photodiode (22) ; des fils de lecture (R1 à Rn) qui sont reliés au transistor (21) ; un module de sortie de signal (40), pour délivrer séquentiellement en sortie une valeur de tension correspondant à la quantité de charge entrée dans chacun des fils de lecture (R1 à RN) ; des commutateurs de modification de potentiel (50), pour commuter le potentiel des fils de lecture (R1 à RN) à un potentiel Vdr qui est distinct du potentiel d'entrée d'un circuit d'intégration (42) du module de sortie de signal (40) ; et un module de commande (6). Au terme d'une période de lecture au cours de laquelle des valeurs de tension correspondant à la quantité de charge générée au niveau des pixels (P1,1 à PM,N) sont délivrées séquentiellement en sortie à partir du module de sortie de signal (40), le module de commande (6) exécute une commutation du potentiel des fils de lecture (R1 à RN) au potentiel distinct Vdr au cours d'une période de temps prédéterminée qui est incluse dans la période transitoire qui court jusqu'au début de la période de lecture suivante. La solution technique de la présente invention permet ainsi de réaliser un dispositif d'imagerie à semi-conducteur qui est apte à améliorer la précision de détection d'une lumière incidente au niveau de chaque pixel.
(JA) 固体撮像装置10は、トランジスタ21及びフォトダイオード22を各々含む画素P1,1~PM,Nを有する受光部20と、トランジスタ21に接続された読出用配線R~Rと、読出用配線R~Rのそれぞれを経て入力される電荷の量に応じた電圧値を順次に出力する信号出力部40と、読出用配線R~Rの電位を、信号出力部40の積分回路42の入力電位とは別の電位Vdrに切り替える電位変更用スイッチ50と、制御部6とを備える。制御部6は、画素P1,1~PM,Nにおいて発生した電荷の量に応じた電圧値が信号出力部40から順次に出力される読み出し期間が経過した後、次の読み出し期間が開始されるまでの間に含まれる所定の期間、読出用配線R~Rの電位を別の電位Vdrに切り替える。これにより、各画素における入射光の検出精度を高めることができる固体撮像装置が実現される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)