WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012098760) SOLID-STATE IMAGE CAPTURE ELEMENT, SOLID-STATE IMAGE CAPTURE ELEMENT DRIVING METHOD, AND IMAGE CAPTURE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/098760    International Application No.:    PCT/JP2011/076324
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 15.11.2011
IPC:
H04N 5/374 (2011.01), H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031 (JP) (For All Designated States Except US).
GOTO Takashi; (For US Only)
Inventors: GOTO Takashi;
Agent: TAKAMATSU Takeshi; Koh-Ei Patent Firm, Toranomon East Bldg. 9F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2011-010282 20.01.2011 JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGE CAPTURE ELEMENT, SOLID-STATE IMAGE CAPTURE ELEMENT DRIVING METHOD, AND IMAGE CAPTURE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE TRANSISTORISÉ, PROCÉDÉ D'EXCITATION D'ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE TRANSISTORISÉ, ET DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE
(JA) 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、撮像装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a solid-state image capture element with which it is possible to achieve high image quality, a greater number of pixels, lower costs, and reduced power consumption. A solid-state image capture element (100) comprises: an optoelectric conversion layer (22), further comprising an organic material, and which is formed above a substrate (10); and a signal read-out circuit (S) which is formed on the substrate (10) and which reads out a signal according to a charge which occurs on the optoelectric conversion layer (22). The read-out circuit (S) further comprises: an accumulator unit (11) which accumulates the charge which occurs by the optoelectric conversion layer (22); an FD (13) whereto the charge which is accumulated in the accumulator unit (11) is transferred; a transfer transistor (Tr) (30) which transfers the charge of the accumulator unit (11) to the FD (13); a reset Tr (31) which resets the potential of the FD (13); and an output Tr (32) which outputs a signal according to the potential of the FD (13). The solid-state image capture element (100) further comprises a control unit (104) which carries out driving for each frame, controlling the reset voltage which is fed to the reset Tr (31); imparting the charge to the accumulator unit (11) from a power supply which feeds the reset voltage; and thereafter, controlling the reset voltage, discharging a portion of the charge which is imparted to the accumulator unit (11) to the power supply.
(FR)La présente invention concerne un élément de capture d'image transistorisé permettant d'obtenir une image de haute qualité, d'augmenter le nombre de pixels, d'abaisser les coûts, et de réduire la consommation électrique. Un tel élément de capture d'image transistorisé (100) comprend: une couche de conversion opto-électrique (22), qui comprend elle-même une matière organique, et qui est réalisée au-dessus d'un substrat (10); et un circuit de lecture du signal (S), qui est formé sur le substrat (10), et qui lit un signal en fonction d'une charge qui survient sur la couche de conversion opto-électrique (22). Le circuit de lecture (S) comprend lui-même: un accumulateur (11) qui accumule la charge survenant au niveau de la couche de conversion opto-électrique (22); un détecteur de charge (13) vers lequel est transférée la charge accumulée dans l'accumulateur (11); un transistor de transfert (30) qui transfère vers le détecteur de charge (13) la charge de l'accumulateur (11); un transistor de réinitialisation (31) qui réinitialise le potentiel du détecteur de charge (13); et un transistor de sortie (32) qui produit en sortie un signal en fonction du potentiel du détecteur de charge (13). L'élément de capture d'image transistorisé (100) comprend également un contrôleur (104) qui assure, l'excitation correspondant à chaque trame, la commande de la tension de réinitialisation qui arrive au transistor de réinitialisation (31), l'application de la charge à l'accumulateur (11) à partir de l'alimentation électrique fournissant la tension de réinitialisation, et enfin, la commande de la tension de réinitialisation, déchargeant vers l'alimentation électrique une partie de la charge qui est appliquée à l'accumulateur (11).
(JA) 高画質化、多画素化、低コスト化、低消費電力化が可能な固体撮像素子の提供。 基板10上方に形成された有機材料を含む光電変換層22と、基板10に形成され光電変換層22で発生した電荷に応じた信号を読みだす信号読出し回路Sを有する固体撮像素子100は、読出し回路Sが、光電変換層22よって発生した電荷を蓄積する蓄積部11と、蓄積部11に蓄積された電荷が転送されるFD13と、蓄積部11の電荷をFD13に転送する転送トランジスタ(Tr)30と、FD13の電位をリセットするリセットTr31と、FD13の電位に応じた信号を出力する出力Tr32を含み、リセットTr31に供給するリセット電圧を制御して、当該リセット電圧を供給する電源から蓄積部11に電荷を注入し、その後、当該リセット電圧を制御して、蓄積部11に注入した電荷の一部を前記電源に排出させる駆動をフレーム毎に行う制御部104を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)