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1. (WO2012098722) CU-GA TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AS WELL AS LIGHT-ABSORBING LAYER FORMED FROM CU-GA ALLOY FILM, AND CIGS SOLAR CELL USING LIGHT-ABSORBING LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/098722    International Application No.:    PCT/JP2011/068235
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 10.08.2011
Chapter 2 Demand Filed:    07.11.2011    
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), B22F 3/14 (2006.01), C22C 9/00 (2006.01), C22C 28/00 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP) (For All Designated States Except US).
TAMURA Tomoya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAMOTO Hiroyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKAMOTO Masaru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAMURA Tomoya; (JP).
YAMAMOTO Hiroyoshi; (JP).
SAKAMOTO Masaru; (JP)
Agent: OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office, HATSUMEIKAIKAN 5F, 9-14, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2011-006778 17.01.2011 JP
Title (EN) CU-GA TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AS WELL AS LIGHT-ABSORBING LAYER FORMED FROM CU-GA ALLOY FILM, AND CIGS SOLAR CELL USING LIGHT-ABSORBING LAYER
(FR) CIBLE D'ALLIAGE DE CUIVRE-GALLIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CETTE DERNIÈRE AINSI QUE COUCHE ABSORBANT LA LUMIÈRE FORMÉE À PARTIR DU FILM D'ALLIAGE DE CUIVRE-GALLIUM ET CELLULE SOLAIRE AU CIGS QUI UTILISE LA COUCHE ABSORBANT LA LUMIÈRE
(JA) Cu-Gaターゲット及びその製造方法並びにCu-Ga系合金膜からなる光吸収層及び同光吸収層を用いたCIGS系太陽電池
Abstract: front page image
(EN)A Cu-Ga alloy sintered-compact sputtering target having a Ga concentration of 40 to 50 at% and Cu as the balance, wherein the Cu-Ga alloy sintered-compact sputtering target is characterized in that the relative density thereof is 80% or higher, and the compositional deviation of the Ga concentration is within ±0.5 at% of the intended composition. A method for manufacturing a Cu-Ga alloy sintered-compact sputtering target having a Ga concentration of 40 to 50 at% and Cu as the balance, wherein the method for manufacturing a Cu-Ga alloy sintered-compact sputtering target is characterized in that Cu and Ga starting materials are melted and cooled/pulverized to manufacture Cu-Ga alloy starting material powder, and the starting material powder is hot-pressed with the retention temperature of the hot press set at a temperature between the melting point of the mixed starting material powder and a temperature 15°C lower than the melting point, and with the pressure applied to the sintered mixed starting material powder set at 400 kgf/cm2 or greater. Provided are a sputtering target having very low compositional deviation and high density, and a method for manufacturing the same, as well as a light-absorbing layer formed from a Cu-Ga alloy film, and a CIGS solar cell using the light-absorbing layer.
(FR)La présente invention se rapporte à une cible de pulvérisation de compact fritté d'alliage de cuivre-gallium (Cu-Ga). Ladite cible de pulvérisation présente une concentration en gallium (Ga) variant entre 40 et 50 % atomique et le reste étant du cuivre (Cu). La cible de pulvérisation de compact fritté d'alliage de cuivre-gallium (Cu-Ga) est caractérisée en ce que la densité relative de cette dernière est égale ou supérieure à 80 % et la fluctuation de la composition de la concentration en gallium (Ga) se situe dans une plage de ± 0,5 % atomique de la composition voulue. La présente invention se rapporte également à un procédé de fabrication d'une cible de pulvérisation de compact fritté d'alliage de cuivre-gallium (Cu-Ga) qui présente une concentration en gallium (Ga) variant entre 40 et 50 % atomique, le reste étant du cuivre (Cu). Le procédé de fabrication d'une cible de pulvérisation de compact fritté d'alliage de cuivre-gallium (Cu-Ga) est caractérisé en ce que les matériaux de départ en cuivre et en gallium sont fondus et refroidis/pulvérisés afin de fabriquer une poudre de matériau de départ en alliage de cuivre et de gallium et la poudre de matériau de départ est pressée à chaud, la température de rétention du pressage à chaud étant déterminée à une température comprise entre le point de fusion de la poudre de matériau de départ mélangée et une température inférieure de 15 °C à celle du point de fusion, la pression appliquée à la poudre de matériau de départ mélangée et frittée étant déterminée à une valeur égale ou supérieure à 400 kgf/cm2. La présente invention se rapporte également à une cible de pulvérisation qui présente une fluctuation de la composition très faible et une densité élevée et à un procédé de fabrication de cette dernière ainsi qu'à une couche absorbant la lumière formée à partir d'un film d'alliage de cuivre-gallium et à une cellule solaire au cuivre-indium-gallium-sélénium (CIGS) qui utilise la couche absorbant la lumière.
(JA)【課題】Ga濃度が40~50at%であり、残部がCuであるCu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲットであって、相対密度が80%以上であり、Ga濃度の組成ずれが、狙いの組成に対して、±0.5at%以内であることを特徴とするCu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲット。Ga濃度が40~50at%であり、残部がCuであるCu-Ga合金焼結体スパッタリングターゲットの製造方法であって、Cu及びGa原料を、溶解及び冷却・粉砕してCu-Ga合金原料粉を製造し、さらにこの原料粉を、ホットプレスの保持温度を混合原料粉の融点と該融点より15℃低い温度との間の温度とし、焼結混合原料粉への加圧圧力を400kgf/cm2以上として、ホットプレスすることを特徴とするCu-Ga系合金スパッタリングターゲットの製造方法。組成ずれが極めて少なく、かつ高密度のスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにCu-Ga系合金膜からなる光吸収層及び同光吸収層を用いたCIGS系太陽電池を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)