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1. (WO2012098635) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/098635    International Application No.:    PCT/JP2011/050676
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 17.01.2011
IPC:
H01L 29/47 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 21/8222 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/26 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (For All Designated States Except US).
MINOURA, Yuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OKAMOTO, Naoya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MINOURA, Yuichi; (JP).
OKAMOTO, Naoya; (JP)
Agent: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, NBF Ikebukuro City Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The disclosed semiconductor device is provided with a semiconductor layer (1) and a Schottky electrode (2) which is joined to the semiconductor layer (1) via a Schottky junction. The Schottky electrode (2) includes a metal part (2a) which contains a metal which is joined to the semiconductor layer (1) via a Schottky junction, and a nitride part (2b) which, formed around the metal part (2a), contains nitrides of the aforementioned metal and is joined to the semiconductor layer (1) via a Schottky junction.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs dans lequel sont agencées : une couche semi-conductrice (1); et une électrode Schottky (2) liée par effet Schottky à la couche semi-conductrice (1). Une partie métal (2a) qui contient un métal et qui liée par effet Schottky à la couche semi-conductrice (1), et une partie nitrure (2b) qui est formée à la périphérie de la partie métal (2a), qui contient ledit métal ainsi qu'un nitrure et qui est liée par effet Schottky à la couche semi-conductrice (1), sont contenues dans l'électrode Schottky (2).
(JA) 半導体装置には、半導体層(1)と、半導体層(1)とショットキー接合したショットキー電極(2)と、が設けられている。ショットキー電極(2)には、半導体層(1)とショットキー接合した金属を含む金属部(2a)と、金属部(2a)の周囲に形成され、前記金属の窒化物を含み、半導体層(1)とショットキー接合した窒化物部(2b)と、が含まれている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)