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1. (WO2012098587) ORGANIC EL ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/098587    International Application No.:    PCT/JP2011/000324
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 21.01.2011
H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
OHUCHI, Satoru; (For US Only).
YAMADA, Ryuuta; (For US Only).
KOMATSU, Takahiro; (For US Only).
FUJIMURA, Shinya; (For US Only).
FUJITA, Hirofumi; (For US Only).
NENDAI, Kenichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGANO, Kou [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YADA, Shuhei [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OHUCHI, Satoru; .
YAMADA, Ryuuta; .
KOMATSU, Takahiro; .
FUJIMURA, Shinya; .
FUJITA, Hirofumi; .
NENDAI, Kenichi; (JP).
SUGANO, Kou; (JP).
YADA, Shuhei; (JP)
Agent: NAKAJIMA, Shiro; 6F, Yodogawa 5-Bankan, 2-1, Toyosaki 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5310072 (JP)
Priority Data:
(JA) 有機EL素子
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides an organic EL element that can withstand the mass-production processes for organic EL display panels and with which high luminous efficiency can be expected with low-voltage drive because of superior hole injection efficiency. Specifically, an organic EL element (1) is formed by laminating a positive electrode (2), hole injection layer (4), buffer layer (6A), light emitting layer (6B), and negative electrode (8) in that order on one surface of a substrate (10). The hole injection layer (4) is a tungsten oxide layer with a film thickness of 2 nm or greater formed under prescribed film forming conditions, and in the electronic state thereof, the occupancy level is within a range of bond energy 1.8 - 3.6 eV lower than the lowest bond energy in the valence band. Thus, impediments to hole injection between the positive electrode (2) and the hole injection layer (4) and between the hole injection layer (4) and the buffer layer (6A) are reduced.
(FR)La présente invention concerne un élément EL organique capable de résister aux processus de production en grande série d'écrans d'affichage EL organiques et au moyen duquel on peut s'attendre à un rendement lumineux élevé avec une excitation à basse tension en raison d'un rendement d'injection de trous inégalé. Plus précisément, un élément EL organique (1) est formé en stratifiant une électrode positive (2), une couche (4) d'injection de trous, une couche tampon (6A), une couche électroluminescente (6B) et une électrode négative (8) dans cet ordre sur une surface d'un substrat (10). La couche (4) d'injection de trous est une couche d'oxyde de tungstène caractérisée par une épaisseur de film supérieure ou égale à 2 nm formée sous des conditions prescrites de formation de film et, en ce qui concerne son état électronique, le taux d'occupation se situe dans une plage d'énergie de liaison de 1,8 à 3,6 eV inférieure à la plus faible énergie de liaison dans la bande de valence. Ainsi, les obstacles à l'injection de trous entre l'électrode positive (2) et la couche (4) d'injection de trous et entre la couche (4) d'injection de trous et la couche tampon (6A) sont réduits.
(JA) 本発明は、有機ELディスプレイパネルの量産プロセスに耐え、かつ、優れたホール注入効率により、低電圧駆動で高い発光効率を期待できる有機EL素子を提供する。 具体的には、基板10の片面に、陽極2、ホール注入層4、バッファ層6A、発光層6B、陰極8を順次積層して有機EL素子1を構成する。ホール注入層4は所定の成膜条件で成膜した膜厚2nm以上の酸化タングステン層とし、かつ、その電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも1.8~3.6eV低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させる。これにより、陽極2とホール注入層4の間、およびホール注入層4とバッファ層6Aの間のホール注入障壁を低減する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)