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1. (WO2012098184) PROGRAMMABLE VOLATILE/NON-VOLATILE MEMORY CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/098184    International Application No.:    PCT/EP2012/050772
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 19.01.2012
IPC:
G11C 11/16 (2006.01), G11C 11/412 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01)
Applicants: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, Rue Michel Ange F-75794 Paris Cedex 16 (FR) (For All Designated States Except US).
UNIVERSITE MONTPELLIER 2 [FR/FR]; Place Eugène Bataillon F-34095 Montpellier Cedex 5 (FR) (For All Designated States Except US).
GUILLEMENET, Yoann [FR/FR]; (FR) (For US Only).
TORRES, Lionel [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: GUILLEMENET, Yoann; (FR).
TORRES, Lionel; (FR)
Agent: CABINET BEAUMONT; 1, Rue Champollion F-38000 Grenoble (FR)
Priority Data:
1150406 19.01.2011 FR
Title (EN) PROGRAMMABLE VOLATILE/NON-VOLATILE MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE VOLATILE/NON-VOLATILE PROGRAMMABLE
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a memory device comprising at least one memory cell comprising: a first transistor (102) coupled between a first storage node (106) and a first supply line (GND, VDD); a second transistor (104) coupled between a second storage node and said first supply line (GND, VDD), control terminals of said first and second transistors being coupled to said second and first storage nodes respectively; a third transistor (110) coupled between said first storage node and a first access line (BLB) and controllable via a first control line (WL1); a fourth transistor (112, 712) coupled between said second storage node (108) and a second access line (BLB) and controllable via a second control line; and a first resistance switching element (202) coupled in series with said first transistor and programmable to have one of first and second resistive states.
(FR)La présente invention concerne un dispositif mémoire qui comprend au moins une cellule de mémoire. Ladite cellule de mémoire comprend : un premier transistor (102) couplé entre un premier nœud de stockage (106) et une première ligne d'alimentation (GND, VDD) ; un deuxième transistor (104) couplé entre un second nœud de stockage et ladite première ligne d'alimentation (GND, VDD), des bornes de commande desdits premier et deuxième transistors étant couplées audit second et premier nœuds de stockage respectivement ; un troisième transistor (110) qui est couplé entre ledit premier nœud de stockage et une première ligne d'accès (BLB) et qui peut être commandé par l'intermédiaire d'une première ligne de commande (WL1) ; un quatrième transistor (112, 712) qui est couplé entre ledit second nœud de stockage (108) et une seconde ligne d'accès (BLB) et qui peut être commandé par l'intermédiaire d'une seconde ligne de commande ; et un premier élément de commutation de résistance (202) couplé en série avec ledit premier transistor et programmable pour posséder un des premier et second états résistifs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)