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1. (WO2012097585) ANALYSIS METHOD OF DEVICE ELECTRICAL PROPERTIES CORRELATION AND OPTIMIZATION METHOD OF DEVICE STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/097585    International Application No.:    PCT/CN2011/078204
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 10.08.2011
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), G06F 17/50 (2006.01)
Applicants: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road Chaoyang District, Beijing 100029 (CN) (For All Designated States Except US).
LIANG, Qingqing [CN/US]; (US) (For US Only).
ZHU, Huilong [US/US]; (US) (For US Only).
ZHONG, Huicai [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LIANG, Qingqing; (US).
ZHU, Huilong; (US).
ZHONG, Huicai; (US)
Agent: CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 25/F., Bldg. B, Tsinghua Tongfang Hi-Tech Plaza No.1, Wangzhuang Rd. Haidian District, Beijing 100083 (CN)
Priority Data:
201110023167.6 20.01.2011 CN
Title (EN) ANALYSIS METHOD OF DEVICE ELECTRICAL PROPERTIES CORRELATION AND OPTIMIZATION METHOD OF DEVICE STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ D'ANALYSE DE CORRÉLATION DES PROPRIÉTÉS ÉLECTRIQUES D'UN DISPOSITIF, ET PROCÉDÉ D'OPTIMISATION DE LA STRUCTURE D'UN DISPOSITIF
(ZH) 器件电学特性相关性分析方法及器件结构优化方法
Abstract: front page image
(EN)Provided here are an analysis method of device electrical properties correlation and an optimization method of device structure. The electronic device comprises several electric characteristics v1,v2,v3,…,vm, and the electric characteristics v2,v3,…,vm form a m-1 dimensional space. Based on several discrete measuring points (v2k,v3k,…,vmk) in the m-1 dimensional space, several corresponding measured values of the electrical property v1 are obtained. The analysis method of electrical properties correlation comprises: Delaunay triangulation is implemented to the several measuring points (v2k,v3k,…,vmk) in the m-1 dimensional space; based on the result of the Delaunay triangulation, using interpolation calculation to obtain the several corresponding interpolation values of the electrical property v1 of several interpolation points (v2i,v3i,…,vmi); and obtain the correlation between electrical properties v1 and v2 according to the measuring points, the interpolation points, the corresponding measured values and interpolation values.
(FR)L'invention concerne un procédé d'analyse de la corrélation des propriétés électriques d'un dispositif et un procédé d'optimisation de la structure d'un dispositif. Le dispositif électronique possède plusieurs caractéristiques électriques v1, v2, v3,..., vm et les caractéristiques électriques v1, v2, v3,..., vm forment un espace à m-1 dimensions. Sur la base plusieurs points de mesure discrets (v2k, v3k, …, vmk) dans l'espace à m-1 dimensions, plusieurs valeurs de mesure correspondantes de la propriété électrique v1 sont recueillies. Le procédé d'analyse de la corrélation des propriétés électriques comprend les étapes suivantes : triangulation de Delaunay sur les différents points de mesure (v2k, v3k, …, vmk) dans l'espace à m-1 dimensions; en fonction du résultat de la triangulation de Delaunay, calcul d'interpolation pour obtenir les différentes valeurs d'interpolation correspondantes de la propriété électrique v1 pour différents points d'interpolation (v2i, v3i, …, vmi); et obtention de la corrélation entre les propriétés électriques v1 et v2 en fonction des points de mesure, des points d'interpolation, des valeurs de mesure et des valeurs d'interpolation correspondantes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)