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1. (WO2012097565) PHASE CHANGE MEMORY CELL AND MANUFACTURE METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/097565    International Application No.:    PCT/CN2011/076239
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 23.06.2011
IPC:
H01L 45/00 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Applicants: SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 865, Changning Road Changning District, Shanghai 200050 (CN) (For All Designated States Except US).
LIU, Bo [CN/CN]; (CN) (For US Only).
SONG, Zhitang [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHANG, Ting [CN/CN]; (CN) (For US Only).
LI, Ying [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHONG, Min [CN/CN]; (CN) (For US Only).
FENG, Songlin [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: LIU, Bo; (CN).
SONG, Zhitang; (CN).
ZHANG, Ting; (CN).
LI, Ying; (CN).
ZHONG, Min; (CN).
FENG, Songlin; (CN)
Agent: J.Z.M.C PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; Room 5022, No.335, Guoding Road Yangpu District, Shanghai 200433 (CN)
Priority Data:
201110020727.2 18.01.2011 CN
Title (EN) PHASE CHANGE MEMORY CELL AND MANUFACTURE METHOD THEREOF
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 相变存储单元及其制作方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a phase change memory cell and a manufacture method thereof The phase change memory cell includes a semiconductor substrate,a first electrode layer, a phase change material layer, a second electrode layer, a lead-out electrode and a high resistance material layer, wherein, the high resistance material layer is used to avoid the phase change material layer being corroded excessively in chemical mechanical polishing process, and the resistance of the high resistance material layer is at least10 times that of the phase change material layer, which can avoid the phase change material layer being corroded excessively in chemical mechanical polishing process, so as to improve the memory property and rate of finished products of the phase change memory cell.
(FR)La présente invention concerne une cellule de mémoire à changement de phase et son procédé de fabrication. La cellule de mémoire à changement de phase comprend un substrat semi-conducteur, une première couche d'électrode, une couche de matériau à changement de phase, une seconde couche d'électrode, une électrode de sortie et une couche de matériau à haute résistance. La couche de matériau à haute résistance est utilisée pour éviter que la couche de matériau à changement de phase soit excessivement corrodée dans le processus de polissage mécano-chimique et la résistance de la couche de matériau à haute résistance est au moins 10 fois celle de la couche de matériau à changement de phase, ce qui permet d'éviter que la couche de matériau à changement de phase ne soit excessivement corrodée dans le processus de polissage mécano-chimique, de façon à améliorer les propriétés de la mémoire et le taux de produits finis obtenus pour la cellule de mémoire à changement de phase.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)