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1. (WO2012097544) RESISTANCE-VARYING FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SUPER-STEEP SUB-THRESHOLD SLOPE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/097544    International Application No.:    PCT/CN2011/072382
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 01.04.2011
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; No.5 Yiheyuan Road Haidian District, Beijing 100871 (CN) (For All Designated States Except US).
HUANG, Ru [CN/CN]; (CN) (For US Only).
HUANG, Qianqian [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHAN, Zhan [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WANG, Yangyuan [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: HUANG, Ru; (CN).
HUANG, Qianqian; (CN).
ZHAN, Zhan; (CN).
WANG, Yangyuan; (CN)
Agent: BEIJING WANXIANGXINYUE INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 1330, East wing of Beidaziyuan Building No.50 Haidian Rd. Haidian District, Beijing 100080 (CN)
Priority Data:
201110021582.8 19.01.2011 CN
Title (EN) RESISTANCE-VARYING FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SUPER-STEEP SUB-THRESHOLD SLOPE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP MONTÉ EN RÉSISTANCE VARIABLE AVEC PENTE SOUS LE SEUIL SUPER-ABRUPTE ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(ZH) 一种具有超陡亚阈值斜率的阻变场效应晶体管及制备方法
Abstract: front page image
(EN)A resistance-varying field effect transistor with a super-steep sub-threshold slope and a manufacturing method thereof are provided. The resistance-varying field effect transistor comprises a gate control electrode layer, a gate dielectric layer (2), a semiconductor substrate (1), a source doped region and a drain doped region (7). The control gate adopts the gate overlapped structure which is comprised of a bottom layer - a bottom electrode layer (3), an intermediate layer - a resistance-varying material layer (4), a top layer - a top electrode layer (5) in turn. The resistance-varying field effect transistor has larger conduction current, lower operation voltage and better sub-threshold character.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ monté en résistance variable caractérisé par une pente sous le seuil super-abrupte, ainsi qu'un procédé pour sa fabrication. Le transistor à effet de champ monté en résistance variable comporte une couche d'électrode de commande de grille, une couche diélectrique (2) de grille, un substrat semiconducteur (1), une région dopée de source et une région dopée (7) de drain. La grille de commande adopte une structure de grille chevauchante constituée : d'une couche inférieure — couche (3) d'électrode inférieure; d'une couche intermédiaire — couche (4) de matériau à résistance variable; d'une couche supérieure — couche (5) d'électrode supérieure, dans cet ordre. Le transistor à effet de champ monté en résistance variable est caractérisé par un plus fort courant de conduction, une tension de fonctionnement plus basse et un meilleur comportement sous le seuil.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)