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1. (WO2012097543) COMB SHAPED GATE COMPOSITE SOURCE MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/097543    International Application No.:    PCT/CN2011/072372
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 01.04.2011
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01)
Applicants: PEKING UNIVERSITY [CN/CN]; No.5 Yiheyuan Road Haidian District, Beijing 100871 (CN) (For All Designated States Except US).
HUANG, Ru [CN/CN]; (CN) (For US Only).
HUANG, Qianqian [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHAN, Zhan [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WANG, Yangyuan [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: HUANG, Ru; (CN).
HUANG, Qianqian; (CN).
ZHAN, Zhan; (CN).
WANG, Yangyuan; (CN)
Agent: BEIJING WANXIANGXINYUE INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 1330, East wing of Beidaziyuan Buiding No.50 Haidian Rd. Haidian District, Beijing 100080 (CN)
Priority Data:
201110021444.X 19.01.2011 CN
Title (EN) COMB SHAPED GATE COMPOSITE SOURCE MOS TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR MOS À GRILLE EN PEIGNE ET SOURCE COMPOSITE, ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(ZH) 一种梳状栅复合源MOS晶体管及其制作方法
Abstract: front page image
(EN)A composite source metal oxide semiconductor (MOS) transistor having a combination of Schottky barrier and a comb shaped gate structure and manufacturing method thereof are provided. The composite source MOS transistor comprises a control gate electrode layer (3), a gate dielectric layer (2), a semiconductor substrate (1), highly doped source regions (5) and a highly doped drain region (6). A Schottky source region (7) is connected to a side of the highly doped source regions (5) away from a channel. An end of a control gate extends toward the highly doped source regions (5), the extension part is an extended gate (3b), which shows comb-shape, the original control gate is a main gate (3a), the active region under the extended gate (3b) is also a channel region, the material of which is the substrate material. The highly doped source regions (5) are made of a highly doped semiconductor, the highly doped source regions (5) are located on both sides of each comb dent of the extended gate (3b). The Schottky junction is formed in the channel region under the Schottky source region (7) and the extended gate (3b). Higher on state current, lower leakage current and a steeper sub-threshold slope can be obtained in the same size of the active region.
(FR)L'invention concerne un transistor avec semiconducteur à oxyde métallique (MOS) à source composite doté d'une combinaison de barrière de Schottky et d'une structure à grille en peigne, ainsi qu'un procédé pour sa fabrication. Le transistor MOS à source composite comporte une couche (3) d'électrode de grille de commande, une couche diélectrique (2) de grille, un substrat semiconducteur (1), des régions (5) de source fortement dopées et une région (6) de drain fortement dopée. Une région (7) de source de Schottky est reliée à un côté des régions (5) de source fortement dopées opposé à un canal. Une extrémité d'une grille de commande se prolonge en direction des régions (5) de source fortement dopées, la partie de prolongement étant une grille prolongée (3b) qui présente la forme d'un peigne, la grille de commande originelle étant une grille principale (3a), la région active située sous la grille prolongée (3b) étant également une région de canal dont le matériau constitutif est le matériau du substrat. Les régions (5) de source fortement dopées sont formées d'un semiconducteur fortement dopé, les régions (5) de source fortement dopées sont situées de part et d'autre de chaque entaille du peigne de la grille prolongée (3b). La jonction de Schottky est formée dans la région de canal située sous la région (7) de source de Schottky et la grille prolongée (3b). Un plus fort courant à l'état passant, un plus faible courant de fuite et une plus forte pente sous le seuil peuvent être obtenus pour la même taille de région active.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)