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1. (WO2012097170) BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUITRY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/097170    International Application No.:    PCT/US2012/021105
Publication Date: 19.07.2012 International Filing Date: 12.01.2012
IPC:
G05F 3/02 (2006.01), G05F 3/26 (2006.01), G05F 3/24 (2006.01)
Applicants: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US) (For All Designated States Except US).
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-shinjuku 6-chome Shinjuku-ku Tokyo, 160-8366 (JP) (JP only).
VU, Luan [US/US]; (US) (For US Only).
LUCERO, Elroy [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: VU, Luan; (US).
LUCERO, Elroy; (US)
Agent: FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated Deputy General Patent Counsel P.O. Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US)
Priority Data:
13/005,378 12.01.2011 US
Title (EN) BANDGAP VOLTAGE REFERENCE CIRCUITRY
(FR) CIRCUIT DE RÉFÉRENCE DE TENSION À EXPLOITATION DE LA BANDE INTERDITE
Abstract: front page image
(EN)Bandgap voltage reference circuitry capable of operating at very low power supply voltages is disclosed. The current source for driving the core bandgap voltage reference is implemented with insulated gate field effect transistors (M12, M15) having low threshold voltages. Voltage clamp circuitry (M21, M22, M24) protects the transistors from power supply voltage variations rising above a predetermined clamp voltage. An output amplifier with output biasing circuitry having a circuit structure similar to that of the core bandgap voltage reference ensures that the bandgap reaches the intended steady state of operation.
(FR)Cette invention concerne un circuit de référence de tension à exploitation de la bande interdite apte à fonctionner sous des tensions d'alimentation de très faible puissance. La source d'alimentation pour la cellule de référence de tension à exploitation de la bande interdite est constituée par des transistors à effet de champ à grille isolée (M12, M15) ayant de faibles tensions de seuil. Un circuit de limitation de tension (M21, M22, M24) protège les transistors des variations de la tension d'alimentation supérieures à une tension limite prédéterminée. Un amplificateur de sortie comprenant un circuit de polarisation de sortie présentant une structure de circuit similaire à celle de la cellule de référence de tension à exploitation de la bande interdite, assure la stabilité de fonctionnement voulue à la bande interdite.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)