WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012096267) OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/096267    International Application No.:    PCT/JP2012/050296
Publication Date: 19.07.2012 International Filing Date: 11.01.2012
IPC:
C04B 35/00 (2006.01), C04B 35/453 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Applicants: KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. [JP/JP]; 1-5-1, Wakinohama-kaigan-dori, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6510073 (JP) (For All Designated States Except US).
GOTO, Hiroshi; (For US Only).
IWASAKI, Yuki; (For US Only)
Inventors: GOTO, Hiroshi; .
IWASAKI, Yuki;
Agent: UEKI, Kyuichi; Fujita-Toyobo Building 9th floor, 1-16, Dojima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300003 (JP)
Priority Data:
2011-005978 14.01.2011 JP
Title (EN) OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET
(FR) COMPACT FRITTÉ À BASE D'OXYDES ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE CORRESPONDANTE
(JA) 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
Abstract: front page image
(EN)The oxide sintered compact of the present invention is an oxide sintered compact obtained by mixing and sintering powders of each of indium oxide, gallium oxide, zinc oxide, and an oxide of at least one metal (metal (M)) selected from the group consisting of Si, Ni, and Hf. When the oxide sintered compact is subjected to X-ray diffraction, (1) InGaZnO4 is the primary phase and at least some of the metal (M) is a solid solution in the InGaZnO4, and (2) a ZnMxOy phase and MxOy phase (where x and y are arbitrary integers) are not detected. According to the present invention, it is possible to provide an oxide sintered compact which is ideal for the production of an oxide semiconductor film used in a display device, and which is capable of forming an oxide semiconductor film having both high conductivity and relative density.
(FR)Le compact fritté à base d'oxydes de la présente invention est un compact fritté à base d'oxydes obtenu par mélange et frittage de poudres de chacun parmi l'oxyde d'indium, l'oxyde de gallium, l'oxyde de zinc et un oxyde d'au moins un métal (métal (M)) choisi dans le groupe consistant en Si, Ni et Hf. Lorsque le compact fritté à base d'oxydes est soumis à une diffraction des rayons X, (1) InGaZnO4 est la phase primaire et au moins une partie du métal (M) est une solution solide dans le InGaZnO4, et (2) une phase de ZnMxOy et une phase de MxOy (où x et y sont des entiers arbitraires) ne sont pas détectées. Selon la présente invention, il est possible de fournir un compact fritté à base d'oxydes qui est idéal pour la fabrication d'un film semi-conducteur à base d'oxydes utilisé dans un dispositif d'affichage et qui est capable de former un film semi-conducteur à base d'oxydes ayant à la fois une conductivité élevée et une densité relative élevée.
(JA) 本発明の酸化物焼結体は、酸化インジウムと;酸化ガリウムと;酸化亜鉛と;Si、Ni、およびHfよりなる群から選択される少なくとも一種の金属(M金属)の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をX線回折したとき、(1)InGaZnO4を主相とし、M金属の少なくとも一部は前記InGaZnO4に固溶しており、且つ、(2)ZnMxy相およびMxy相(x、yは任意の整数である)は検出されないものである。本発明によれば、表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供することができた。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)