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1. (WO2012095903) LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING MODULE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/095903    International Application No.:    PCT/JP2011/004534
Publication Date: 19.07.2012 International Filing Date: 10.08.2011
IPC:
H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01), H01L 23/498 (2006.01), H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/52 (2010.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (For All Designated States Except US).
SUGIZAKI, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOJIMA, Akihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKIMOTO, Yosuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YASUDA, Hidefumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAHASHI, Nozomu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIGUCHI, Kazuhito [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OBATA, Susumu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAMURA, Hideo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SUGIZAKI, Yoshiaki; (JP).
KOJIMA, Akihiro; (JP).
AKIMOTO, Yosuke; (JP).
YASUDA, Hidefumi; (JP).
TAKAHASHI, Nozomu; (JP).
HIGUCHI, Kazuhito; (JP).
OBATA, Susumu; (JP).
TAMURA, Hideo; (JP)
Agent: HYUGAJI, Masahiko; Kannai ST Bldg., 4-1, Onoe-cho 1-chome, Naka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2310015 (JP)
Priority Data:
2011-005625 14.01.2011 JP
Title (EN) LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING MODULE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT, MODULE ÉLECTROLUMINESCENT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
Abstract: front page image
(EN)According to one embodiment, a light emitting device includes a semiconductor layer, a p-side electrode, an n-side electrode, a first insulating layer (18), a p-side interconnect layer, an n-side interconnect layer and a second insulating layer (25). The semiconductor layer includes a first surface (15a), a second surface opposite to the first surface, and a light emitting layer. The p-side electrode (16) is provided on the second surface in a region including the light emitting layer. The n-side electrode (17) is provided on the second surface in a region not including the light emitting layer. The p-side interconnect layer includes a p-side external terminal (23a) exposed from the second insulating layer (25) at a third surface (30) having a plane orientation different from a plane orientation of the first surface and a plane orientation of the second surface. The n-side interconnect layer includes an n-side external terminal (24a) exposed from the second insulating layer (25) at the third surface (30).
(FR)Selon un mode de réalisation, un dispositif électroluminescent comprend une couche semi-conductrice, une électrode du côté de type p, une électrode du côté de type n, une première couche isolante (18), une couche d'interconnexion du côté de type p, une couche d'interconnexion du côté de type n et une seconde couche isolante (25). La couche semi-conductrice comprend une première surface (15a), une deuxième surface opposée à la première surface, et une couche électroluminescente. L'électrode du côté de type p (16) est disposée sur la deuxième surface dans une zone comprenant la couche électroluminescente. L'électrode du côté de type n (17) est disposée sur la deuxième surface dans une zone ne comprenant pas la couche électroluminescente. La couche d'interconnexion du côté de type p comprend une borne externe (23a) exposée à partir de la seconde couche isolante (25) à une troisième surface (30) ayant une orientation dans le plan différente d'une orientation dans le plan de la première surface et de la deuxième surface. La couche d'interconnexion du côté de type n comprend une borne externe (24a) exposée à partir de la seconde couche isolante (25) à la troisième surface (30).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)