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1. (WO2012095117) MICROMECHANICAL PRESSURE SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/095117    International Application No.:    PCT/EP2011/000096
Publication Date: 19.07.2012 International Filing Date: 12.01.2011
IPC:
G01L 9/00 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01)
Applicants: TECHNISCHE UNIVERSITÄT DORTMUND [DE/DE]; August-Schmidt-Straße 4 44227 Dortmund (DE) (For All Designated States Except US).
KNOCH, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KALLIS, Klaus [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: KNOCH, Joachim; (DE).
KALLIS, Klaus; (DE)
Agent: COHAUSZ DAWIDOWICZ HANNIG & SOZIEN; Schumannstrasse 97-99 40237 Düsseldorf (DE)
Priority Data:
Title (DE) MIKROMECHANISCHER DRUCKSENSOR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) MICROMECHANICAL PRESSURE SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) CAPTEUR DE PRESSION MICROMÉCANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen mikromechanischen Drucksensor (1) und ein Verfahren zu dessen Herstellung, wobei der Drucksensor eine in einer ersten Halbleiterschicht (2) ausgebildeten Membran (3) und eine Opferschicht (4) aufweist, auf der die Halbleiterschicht (2) aufgebracht ist. In der Membran (3) ist ein Drain-Gebiet (7) und ein Source-Gebiet (8) vorhanden, die sich gegenüberliegen und durch einen Leitungskanal (12) voneinander getrennt sind, wobei die Opferschicht (4) eine Isolationsschicht (4) bildet, unterhalb der eine weitere Schicht (5) mit einer Gate-Elektrode (6) liegt, die dem Leitungskanal (12) gegenüberliegt. Zwischen der weiteren Schicht (5) und der Membran (3) ist eine Kavität (9) in der Isolationsschicht (4) ausgebildet, in die sich die Membran bei einem auf den Drucksensor ausgeübten Druck hinein bewegen kann. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Druckmessung.
(EN)The invention relates to a micromechanical pressure sensor (1) and to a method for producing same, wherein the pressure sensor comprises a membrane (3) which is formed in a first semiconductor layer (2), and a sacrificial layer (4) to which the semiconductor layer (2) is applied. In the membrane (3), a drain region (7) and a source region (8) are present, which face each other and which are separated from each other by a conducting channel (12), wherein the sacrificial layer (4) forms an insulation layer (4) beneath which an additional layer (5) with a gate electrode (6) is provided, which is located opposite the conducting channel (12). A cavity (9) is formed in the insulation layer (4) between the additional layer (5) and the membrane (3), into which cavity the membrane can move when pressure is applied to the pressure sensor. The invention further relates to a method for measuring pressure.
(FR)L'invention porte sur un capteur de pression micromécanique (1) et sur son procédé de fabrication, le capteur présentant une membrane (3) placée dans une première couche de semi-conducteur (2) et une couche sacrificielle (4) sur laquelle la couche de semi-conducteur (2) est déposée. Dans la membrane (3), se trouvent une région de drain (7) et une région de source (8) qui se font mutuellement face et qui sont séparées l'une de l'autre par un canal de passage (12), la couche sacrificielle (4) formant une couche isolante (4) au-dessous de laquelle se trouve une autre couche (5) comportant une électrode de grille (6) qui fait face au canal de passage (12). Une cavité (9) est formée entre l'autre couche (5) et la membrane (3), ladite cavité étant placée dans la couche isolante (4) et la membrane pouvant s'engager dans ladite cavité en réponse à une pression exercée sur le capteur de pression. L'invention porte en outre sur un procédé de mesure de la pression.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)