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1. (WO2012094357) TRANSISTOR INCLUDING MULTIPLE REENTRANT PROFILES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/094357    International Application No.:    PCT/US2012/020125
Publication Date: 12.07.2012 International Filing Date: 04.01.2012
IPC:
H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: EASTMAN KODAK COMPANY [US/US]; 343 State Street Rochester, NY 14650-2201 (US) (For All Designated States Except US).
TUTT, Lee, William [US/US]; (US) (For US Only).
NELSON, Shelby, Forrester [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: TUTT, Lee, William; (US).
NELSON, Shelby, Forrester; (US)
Common
Representative:
EASTMAN KODAK COMPANY; 343 State Street Rochester, NY 14650-2201 (US)
Priority Data:
12/986,236 07.01.2011 US
12/986,218 07.01.2011 US
12/986,210 07.01.2011 US
Title (EN) TRANSISTOR INCLUDING MULTIPLE REENTRANT PROFILES
(FR) TRANSISTOR INCLUANT DES PROFILS RENTRANT MULTIPLES
Abstract: front page image
(EN)A transistor includes a substrate. A first electrically conductive material layer is positioned on the substrate. A second electrically conductive material layer is in contact with and positioned on the first electrically conductive material layer. The second electrically conductive material layer includes a reentrant profile. The second electrically conductive material layer also overhangs the first electrically conductive material layer.
(FR)La présente invention a trait à un transistor qui inclut un substrat. Une première couche de matériau électroconducteur est placée sur le substrat. Une deuxième couche de matériau électroconducteur est en contact avec la première couche de matériau électroconducteur et est placée sur cette dernière. La deuxième couche de matériau électroconducteur inclut un profil rentrant. La deuxième couche de matériau électroconducteur fait également saillie au-dessus de la première couche de matériau électroconducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)