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1. (WO2012094154) GRAPHENE DEVICES WITH LOCAL DUAL GATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2012/094154 International Application No.: PCT/US2011/066463
Publication Date: 12.07.2012 International Filing Date: 21.12.2011
IPC:
H01L 21/00 (2006.01) ,H01L 21/84 (2006.01)
Applicants: CHEN, Zhihong[CN/US]; US (UsOnly)
FRANKLIN, Aaron, D.[US/US]; US (UsOnly)
HAN, Shu-Jen; US (UsOnly)
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION[US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US (AllExceptUS)
Inventors: CHEN, Zhihong; US
FRANKLIN, Aaron, D.; US
HAN, Shu-Jen; US
Agent: LEWIS, William, E.; Ryan, Mason & Lewis, LLP 90 Forest Avenue Locust Valley, NY 11560, US
Priority Data:
12/986,34207.01.2011US
Title (EN) GRAPHENE DEVICES WITH LOCAL DUAL GATES
(FR) DISPOSITIFS AU GRAPHÈNE À DEUX GRILLES LOCALES
Abstract: front page image
(EN) An electronic device comprises an insulator, a local first gate embedded in the insulator with a top surface of the first gate being substantially coplanar with a surface of the insulator, a first dielectric layer formed over the first gate and insulator, and a channel. The channel comprises a bilayer graphene layer formed on the first dielectric layer. The first dielectric layer provides a substantially flat surface on which the channel is formed. A second dielectric layer formed over the bilayer graphene layer and a local second gate formed over the second dielectric layer. Each of the local first and second gates is capacitively coupled to the channel of the bilayer graphene layer. The local first and second gates form a first pair of gates to locally control a first portion of the bilayer graphene layer.
(FR) La présente invention concerne un dispositif électronique comprenant un isolant, une première grille locale insérée dans l'isolant, une surface supérieure de la première grille étant sensiblement coplane avec une surface de l'isolant, une première couche diélectrique formée au-dessus de la première grille et de l'isolant et un canal. Le canal comprend une couche de graphène bicouche formée sur la première couche diélectrique. La première couche diélectrique fournit une surface sensiblement plate sur laquelle le canal est formé. Une seconde couche diélectrique est formée au-dessus de la couche de graphène bicouche et une seconde grille locale est formée au-dessus de la seconde couche diélectrique. Chacune des première et seconde grilles locales est couplée de manière capacitive au canal de la couche de graphène bicouche. Les première et seconde grilles locales forment une première paire de grilles pour commander localement une première partie de la couche de graphène bicouche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)