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1. (WO2012093601) EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE AND GaN LED DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/093601    International Application No.:    PCT/JP2011/079880
Publication Date: 12.07.2012 International Filing Date: 22.12.2011
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), C30B 25/18 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP) (For All Designated States Except US).
HIRAOKA Shin; (For US Only).
KATSUMOTO Tadahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HIRAOKA Shin; .
KATSUMOTO Tadahiro; (JP)
Agent: HAMADA Yuriko; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2011-002373 07.01.2011 JP
Title (EN) EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE AND GaN LED DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE CROISSANCE ÉPITAXIQUE ET DISPOSITIF À DEL AU GaN
(JA) エピタキシャル成長用基板およびGaN系LEDデバイス
Abstract: front page image
(EN)The main purpose of the present invention is to provide a novel epitaxial growth substrate for use in a GaN LED device, the substrate having an improvement effect on light extraction efficiency in line with that of PSS. An embodiment of this invention includes an epitaxial growth substrate for use in a GaN LED device. In one example, the epitaxial growth substrate has a growth mask layer that includes a monocrystal substrate and a dielectric substance having a lower refractive index than that of the GaN; the growth mask layer has a through-hole that passes through the growth mask layer in the thickness direction and has a cross-sectional area which increases in progression away from the monocrystal substrate; and a plurality of the through-holes is arranged so that any one through-hole has at least three others that are adjacent. When two adjacent holes are arbitrarily selected from the plurality of the through-holes thus arranged, and one is set as a first through-hole and the other is set as a second through-hole, the side wall of the first through-hole and the side wall of the second through-hole abut each other.
(FR)Le principal objet de la présente invention est de produire un substrat de croissance épitaxique innovant à utiliser dans un dispositif à DEL au GaN, le substrat ayant un effet d'amélioration sur le rendement d'extraction de lumière par rapport à celui d'un PSS. Un mode de réalisation de la présente invention comprend un substrat de croissance épitaxique à utiliser dans un dispositif à DEL au GaN. Dans un exemple, le substrat de croissance épitaxique a une couche de masque de croissance qui comprend un substrat monocristallin et une substance diélectrique dont l'indice de réfraction est inférieur à celui du GaN; la couche de masque de croissance a un trou traversant qui traverse la couche de masque de croissance dans la direction de l'épaisseur et dont l'aire de section transversale augmente en s'éloignant du substrat monocristallin; et une pluralité de trous traversants sont agencés de manière à ce que l'un quelconque des trous traversants est adjacent à au moins trois autres. Quand deux trous adjacents sont arbitrairement sélectionnés parmi la pluralité de trous traversants ainsi agencés, et qu'un est défini comme premier trou traversant et que l'autre est défini comme second trou traversant, la paroi latérale du premier trou traversant et la paroi latérale du second trou traversant sont en butée.
(JA) 本発明は、PSSに匹敵する光取出し効率の改善効果を与える、GaN系LEDデバイス用の新規なエピタキシャル成長用基板を提供することを主たる目的とする。本発明の実施形態は、GaN系LEDデバイス用のエピタキシャル成長用基板を含む。一例において、該エピタキシャル成長用基板は、単結晶基板及びGaNよりも低屈折率の誘電体を含む成長マスク層を有し、該成長マスク層は、該成長マスク層を厚さ方向に貫通し、その断面積が前記単結晶基板から離れるにつれて増加する貫通孔を有し、複数の該貫通孔が、どのひとつにも少なくとも他の3つが隣接するように配置され、かつ、そのように配置された該複数の該貫通孔から隣接する2つを任意に選び、その一方を第1貫通孔、他方を第2貫通孔としたとき、該第1貫通孔の側壁と該第2貫通孔の側壁とが境を接している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)