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1. (WO2012092020) THIN FILM DEPOSITION USING MICROWAVE PLASMA
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/092020    International Application No.:    PCT/US2011/066124
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 20.12.2011
IPC:
H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
WON, Tae Kyung [US/US]; (US) (For US Only).
NOMINANDA, Helinda [ID/US]; (US) (For US Only).
CHO, Seon-Mee [US/US]; (US) (For US Only).
CHOI, Soo Young [KR/US]; (US) (For US Only).
PARK, Beom Soo [US/US]; (US) (For US Only).
WHITE, John M. [US/US]; (US) (For US Only).
ANWAR, Suhail [US/US]; (US) (For US Only).
KUDELA, Jozef [SK/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WON, Tae Kyung; (US).
NOMINANDA, Helinda; (US).
CHO, Seon-Mee; (US).
CHOI, Soo Young; (US).
PARK, Beom Soo; (US).
WHITE, John M.; (US).
ANWAR, Suhail; (US).
KUDELA, Jozef; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582 (US)
Priority Data:
61/428,837 30.12.2010 US
Title (EN) THIN FILM DEPOSITION USING MICROWAVE PLASMA
(FR) DÉPÔT EN COUCHE MINCE À L'AIDE D'UN PLASMA À MICRO-ONDES
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the present invention generally provide deposition processes for a silicon-containing dielectric layer using an improved microwave-assisted CVD chamber. In one embodiment, a method of processing a substrate in a processing chamber is provided. The method generally includes applying a microwave power to an antenna coupled to a microwave source disposed within the processing chamber, wherein the microwave source is disposed relatively above a gas feeding source configured to provide a gas distribution coverage covering substantially an entire surface of the substrate, and exposing the substrate to a microwave plasma generated from a processing gas provided by the gas feeding source to deposit a silicon-containing layer on the substrate at a temperature lower than about 200 degrees Celsius, the microwave plasma using a microwave power of about 500 milliWatts/cm2 to about 5,000 milliWatts/cm2 at a frequency of about 1 GHz to about 10 GHz.
(FR)Les modes de réalisation de la présente invention ont en règle générale trait à des processus de dépôt pour une couche diélectrique contenant du silicium à l'aide d'une chambre de dépôt chimique en phase vapeur à micro-ondes améliorée. Selon un mode de réalisation, la présente invention a trait à un procédé permettant de traiter un substrat dans une chambre de traitement. Le procédé inclut en règle générale les étapes consistant à appliquer une énergie HF à une antenne qui est couplée à une source de micro-ondes qui est disposée à l'intérieur de la chambre de traitement, laquelle source de micro-ondes est disposée relativement au-dessus d'une source d'alimentation en gaz qui est configurée de manière à fournir une couverture de distribution de gaz couvrant sensiblement la totalité de la surface du substrat, et à exposer le substrat à un plasma à micro-ondes généré à partir d'un gaz de traitement fourni par la source d'alimentation en gaz en vue de déposer une couche contenant du silicium sur le substrat à une température inférieure à environ 200 degrés Celsius, le plasma à micro-ondes utilisant une énergie HF d'environ 500 milliwatts/cm2 à environ 5 000 milliwatts/cm2 à une fréquence d'environ 1 GHz à environ 10 GHz.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)