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1. (WO2012091901) IMPROVED THICK FILM RESISTIVE HEATER COMPOSITIONS COMPRISING SILVER AND RUTHENIUM DIOXIDE, AND METHODS OF MAKING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/091901    International Application No.:    PCT/US2011/064355
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 12.12.2011
IPC:
H01C 17/065 (2006.01)
Applicants: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY [US/US]; 1007 Market Street Wilmington, Delaware 19898 (US) (For All Designated States Except US).
LABRANCHE, Marc, H. [US/US]; (US) (For US Only).
HANG, Kenneth, Warren [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LABRANCHE, Marc, H.; (US).
HANG, Kenneth, Warren; (US)
Agent: JONES, Brian C.; E. I. du Pont de Nemours and Company Legal Patent Records Center 4417 Lancaster Pike Wilmington, Delaware 19805 (US)
Priority Data:
61/427,679 28.12.2010 US
Title (EN) IMPROVED THICK FILM RESISTIVE HEATER COMPOSITIONS COMPRISING SILVER AND RUTHENIUM DIOXIDE, AND METHODS OF MAKING SAME
(FR) COMPOSITIONS CHAUFFANTES RÉSISTANTES EN PELLICULE ÉPAISSE AMÉLIORÉES COMPRENANT DE L'ARGENT ET DU DIOXYDE DE RUTHÉNIUM, ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)Thick film resistor paste compositions, and methods for making the thick film compositions are disclosed. The compositions include a resistor composition dispersed in an organic vehicle. The resistor composition has 3 to 60% by weight RuO2 conductive material, 5 to 75% by weight Ag conductive material, 15 to 60% by weight glass frit and optionally up to 10% by weight copper oxide or precursor thereof, and up to 20% by weight bismuth oxide or precursor thereof. Optionally the glass is (by weight) 25-45% SiO2, 2-15% AI2O3, 0-3% ZrO2, 0-8% B2O3, 5-15% CuO, 0-8% BaO, 0-3% P2O5, and 20-50% Bi2O3, The resistor composition when printed to a dry thickness and fired at a temperature between 750°C and 950°C achieves a sheet resistivity between 10 and 10,000 milliohms/square and a hot temperature coefficient of resistivity of 1000 ppm/C or higher. The fired resistor composition may achieve a resistance thickness ratio (Rtr) value between 0.75 and 1.50.
(FR)L'invention concerne des compositions de pâte de résistance en pellicule épaisse, et des procédés de fabrication des compositions en pellicule épaisse. Les compositions comprennent une composition de résistance dispersée dans un véhicule organique. La composition de résistance a 3 à 60 % en poids de matériau conducteur RuO2, 5 à 75 % en poids de matériau conducteur Ag, 15 à 60 % en poids de fritte de verre et optionnellement jusqu'à 10 % en poids d'oxyde de cuivre ou d'un précurseur d'oxyde de cuivre, et jusqu'à 20 % en poids d'oxyde de bismuth ou d'un précurseur d'oxyde de bismuth. Optionnellement, le verre est composé (en poids) de 25-45 % de SiO2, de 2-15 % d'AI2O3, de 0-3 % de ZrO2, de 0-8 % de B2O3, de 5-15 % de CuO, de 0-8 % de BaO, de 0-3 % de P2O5, et de 20-50 % de Bi2O3. La composition de résistance, quand elle est imprimée à une épaisseur sèche et cuite à une température entre 750 °C et 950 °C, obtient une résistivité de feuille entre 10 et 10 000 milliohms/carré et un coefficient de résistivité à haute température supérieur ou égal à 1000 ppm/C. La composition de résistance cuite peut obtenir une valeur de ratio résistance-épaisseur (Rtr) comprise entre 0,75 et 1,50.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)