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1. (WO2012091900) TEXTURE COATING WITH ETCHING-BLOCKING LAYER FOR THIN-FILM SOLAR CELLS AND/OR METHODS OF MAKING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/091900    International Application No.:    PCT/US2011/064354
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 12.12.2011
IPC:
H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: GUARDIAN INDUSTRIES CORP. [US/US]; 2300 Harmon Road Auburn Hills, MI 48326-1714 (US) (For All Designated States Except US).
KRASNOV, Alexey [CA/US]; (US) (For US Only).
DEN BOER, Willem [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KRASNOV, Alexey; (US).
DEN BOER, Willem; (US)
Agent: RHOA, Joseph, A.; Nixon & Vanderhye P.C. 901 North Glebe Road, 11th Floor Arlington, VA 22203-1808 (US)
Priority Data:
12/929,111 30.12.2010 US
Title (EN) TEXTURE COATING WITH ETCHING-BLOCKING LAYER FOR THIN-FILM SOLAR CELLS AND/OR METHODS OF MAKING THE SAME
(FR) REVÊTEMENT DE TEXTURE À COUCHE DE BLOCAGE DE GRAVURE POUR CELLULES SOLAIRES À PELLICULE MINCE ET/OU SES PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)Certain example embodiments of this invention relate to a front electrode for solar cell devices (e.g., amorphous silicon or a-Si solar cell devices), and/or methods of making the same. Advantageously, certain example embodiments include a layer that acts as an etch-stop layer. In certain example embodiments, the blocking layer is provided between a transparent conductive oxide layer including AZO and a conductive layer. In certain example embodiments, a weak acid may be used to texture the layer including AZO. A semiconductor may be provided over the textured layer including AZO. The blocking layer provided between the layer of AZO and the IR reflecting layer may be more resistant to etching by weak acids than the layer based on AZO. Therefore, in certain example embodiments, the blocking layer may substantially reduce the risk of the semiconductor coming into contact with the conductive layer (which may be based on Ag).
(FR)Certains modes de réalisation de la présente invention concernent une électrode avant pour dispositifs à cellules solaires (par ex., dispositifs à cellules solaires en silicium amorphe ou a-Si), et/ou ses procédés de fabrication. Avantageusement, certains modes de réalisations comprennent une couche qui agit comme une couche d'arrêt de gravure. Dans certains modes de réalisation, la couche de blocage est disposée entre une couche d'oxyde transparente conductrice comprenant de l'AZO et une couche conductrice. Dans certains modes de réalisation, un acide faible peut être utilisé pour texturer la couche comprenant de l'AZO. Un semi-conducteur peut être appliqué sur la couche texturée comprenant de l'AZO. La couche de blocage insérée entre la couche d'AZO et la couche réfléchissant les IR peut être plus résistante à la gravure par acides faibles que la couche à base d'AZO. Par conséquent, dans certains modes de réalisation, la couche de blocage peut réduire sensiblement le risque que le semi-conducteur entre en contact avec la couche conductrice (qui peut être à base d'Ag).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)