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1. (WO2012091851) SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING A MASS ANALYZED ION BEAM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/091851    International Application No.:    PCT/US2011/063095
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 02.12.2011
IPC:
H01J 37/317 (2006.01), H01J 37/08 (2006.01), H01J 27/02 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (For All Designated States Except US).
BENVENISTE, Victor, M. [US/US]; (US) (For US Only).
SINCLAIR, Frank [US/US]; (US) (For US Only).
RADOVANOV, Svetlana [US/US]; (US) (For US Only).
KOO, Bon, Woong [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BENVENISTE, Victor, M.; (US).
SINCLAIR, Frank; (US).
RADOVANOV, Svetlana; (US).
KOO, Bon, Woong; (US)
Agent: FABER, Scott, R.; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Priority Data:
12/981,002 29.12.2010 US
Title (EN) SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING A MASS ANALYZED ION BEAM
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN FAISCEAU D'IONS APRÈS ANALYSE DE MASSE
Abstract: front page image
(EN)An implantation system (100) includes an ion extraction plate (106) having a set of apertures configured to extract ions from an ion source (102) to form a plurality of beamlets (112). A magnetic analyzer (114) is configured to provide a magnetic field to deflect ions in the beamlets in a first direction x that is generally perpendicular to a principal axis zof the beamlets. A mass analysis plate (120) includes a set of apertures (122) wherein first ion species (118) having a first mass/charge ratio are transmitted through the mass analysis plate and second ion species (116) having a second mass/charge ratio are blocked by the mass analysis plate. Optionally, a workpiece holder (130) is configured to move with, respect to the mass analysis plate in a second direction y perpendicular to the first direction, wherein a pattern of ions (112a) transmitted through the mass analysis plate forms a continuous ion beam current along the first direction at the substrate (132).
(FR)Le système d'implantation ci-décrit comprend une plaque d'extraction d'ions comportant une série d'ouvertures conçues pour extraire des ions d'une source d'ions de manière à former une pluralité de faisceaux secondaires; un analyseur magnétique pour créer un champ magnétique capable de dévier les ions des faisceaux secondaires dans une première direction qui est généralement perpendiculaire à un axe principal desdits faisceaux secondaires; une plaque d'analyse de masse comportant une série d'ouvertures par lesquelles des premières espèces ioniques ayant un premier rapport masse/charge sont transmises par la plaque d'analyse de masse et des secondes espèces ioniques ayant un second rapport masse/charge sont bloquées par la plaque d'analyse de masse; et un porte-pièce conçu pour se déplacer, par rapport à la plaque d'analyse de masse, dans une seconde direction, perpendiculaire à la première, un motif d'ions transmis par la plaque d'analyse de masse formant un courant de faisceau d'ions continu le long de la première direction sur le substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)