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1. (WO2012091789) CARBON-BASED NANOSTRUCTURE FORMATION USING LARGE SCALE ACTIVE GROWTH STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/091789    International Application No.:    PCT/US2011/058300
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 28.10.2011
IPC:
C01B 31/02 (2006.01)
Applicants: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 (US) (For All Designated States Except US).
GUZMAN DE VILLORIA, Roberto [ES/US]; (US) (For US Only).
WARDLE, Brian L. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: GUZMAN DE VILLORIA, Roberto; (US).
WARDLE, Brian L.; (US)
Agent: OYER, Timothy J.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210-2206 (US)
Priority Data:
61/407776 28.10.2010 US
Title (EN) CARBON-BASED NANOSTRUCTURE FORMATION USING LARGE SCALE ACTIVE GROWTH STRUCTURES
(FR) FORMATION DE NANOSTRUCTURE À BASE DE CARBONE À L'AIDE DE STRUCTURES DE CROISSANCE ACTIVE À GRANDE ÉCHELLE
Abstract: front page image
(EN)Systems and methods for the formation of carbon-based nanostructures using large-scale active growth structures are generally described. In addition, systems and methods related to the formation of carbon-based nanostructures using basalt and/or titanium (e.g., elemental titanium) are generally described. The carbon-based nanostructures can be grown by exposing the large-scale active growth structures, basalt, and/or titanium to a set of conditions selected to cause formation of carbon-based nanostructures on (e.g., directly on) the large-scale active growth structure, basalt, and/or titanium. When basalt and/or titanium are used as all or part of an active growth structure, the basalt and/or titanium can be in any suitable form such as, for example, a planar or non-planar active growth structure (which can have, in some cases, a first cross- sectional dimension of at least about 1 mm) comprising basalt and/or titanium (e.g., a fiber comprising basalt and/or titanium) and/or particles (e.g., nanoparticles) comprising basalt and/or titanium.
(FR)L'invention concerne de manière générale des systèmes et procédés pour la formation de nanostructures à base de carbone à l'aide de structures de croissance active à grande échelle. De plus, l'invention concerne, de manière générale, des systèmes et procédés se rapportant à la formation de nanostructures à base de carbone à l'aide de basalte et/ou de titane (par exemple, de titane élémentaire). Les nanostructures à base de carbone peuvent être soumises à une croissance par exposition des structures de croissance active à grande échelle, du basalte et/ou du titane à un ensemble de conditions choisies pour provoquer une formation de nanostructures à base de carbone sur (par exemple, directement sur) la structure de croissance active à grande échelle, le basalte et/ou le titane. Lorsque du basalte et/ou du titane sont utilisés comme tout ou partie d'une structure de croissance active, le basalte et/ou le titane peuvent être sous n'importe quelle forme appropriée telle que, par exemple, une structure de croissance active plane ou non plane (qui peut avoir, dans certains cas, une première dimension en coupe transversale d'au moins environ 1 mm) comprenant du basalte et/ou du titane (par exemple, une fibre comprenant du basalte et/ou du titane) et/ou des particules (par exemple, des nanoparticules) comprenant du basalte et/ou du titane.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)