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Pub. No.:    WO/2012/091311    International Application No.:    PCT/KR2011/009389
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 06.12.2011
H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01)
Applicants: SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. [KR/KR]; 1B-36, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 425-851 (KR) (For All Designated States Except US).
YUN, Jun Ho [KR/KR]; (KR) (For US Only).
NAM, Ki Bum [KR/KR]; (KR) (For US Only).
LEE, Joon Hee [KR/KR]; (KR) (For US Only).
KIM, Chang Youn [KR/KR]; (KR) (For US Only).
YOO, Hong Jae [KR/KR]; (KR) (For US Only).
HONG, Sung Hoon [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: YUN, Jun Ho; (KR).
NAM, Ki Bum; (KR).
LEE, Joon Hee; (KR).
KIM, Chang Youn; (KR).
YOO, Hong Jae; (KR).
HONG, Sung Hoon; (KR)
Agent: AIP PATENT & LAW FIRM; Shinwon Bldg. 8F 823-14, Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-933 (KR)
Priority Data:
10-2010-0136879 28.12.2010 KR
10-2011-0001633 07.01.2011 KR
Abstract: front page image
(EN)Disclosed herein is a high efficiency light emitting diode. The light emitting diode includes: a semiconductor stack positioned over a support substrate; a reflective metal layer positioned between the support substrate and the semiconductor stack to ohmic-contact a p-type compound semiconductor layer of the semiconductor stack and having a groove exposing the semiconductor stack; a first electrode pad positioned on an n-type compound semiconductor layer of the semiconductor stack; an electrode extension extending from the first electrode pad and positioned over the groove region; and an upper insulating layer interposed between the first electrode pad and the semiconductor stack. In addition, the n-type compound semiconductor layer includes an n-type contact layer, and the n-type contact layer has a Si doping concentration of 5 to 7X 1018/cm3 and a thickness in the range of 5 to 10 um.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente à haut rendement. La diode électroluminescente comprend : un empilement de semiconducteurs positionné par-dessus un substrat porteur; une couche métallique réfléchissante positionnée entre le substrat porteur et l'empilement de semiconducteurs pour être en contact ohmique avec une couche de semiconducteur composé de type p de l'empilement de semiconducteurs et dotée d'une rainure exposant l'empilement de semiconducteurs; une première plage d'électrode positionnée sur une couche de semiconducteur composé de type n de l'empilement de semiconducteurs; un prolongement d'électrode s'étendant à partir de la première plage d'électrode et positionné par-dessus la région de la rainure; et une couche isolante supérieure interposée entre la première plage d'électrode et l'empilement de semiconducteurs. De plus, la couche de semiconducteur composé de type n comprend une couche de contact de type n, ladite couche de contact de type n étant caractérisée par une concentration en dopage du Si de 5 à 7×1018/cm3 et une épaisseur située dans la plage de 5 à 10 μm.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)