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1. (WO2012090828) METHOD FOR MANUFACTURING HEXAGONAL SEMICONDUCTOR PLATE CRYSTAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/090828    International Application No.:    PCT/JP2011/079684
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 21.12.2011
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), B24B 27/06 (2006.01), B28D 5/04 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP) (For All Designated States Except US).
UCHIDA Hirofumi; (For US Only).
OKANO Yukio; (For US Only)
Inventors: UCHIDA Hirofumi; .
OKANO Yukio;
Agent: HAMADA Yuriko; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2010-291559 28.12.2010 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING HEXAGONAL SEMICONDUCTOR PLATE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUE DE CRISTAL SEMICONDUCTEUR HEXAGONAL
(JA) 六方晶系半導体板状結晶の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a method for effectively manufacturing a hexagonal semiconductor plate crystal with small warpage. This method for manufacturing the hexagonal semiconductor plate crystal is a method for manufacturing a plate crystal by cutting a hexagonal semiconductor crystal with a crystal cutting wire, wherein the crystal cutting wire moves and cuts with respect to the hexagonal semiconductor crystal so as to satisfy both conditions of 25º < α ≤ 90º and β = 90º ± 5º [α is an angle formed by the c-axis of the hexagonal semiconductor crystal and a normal line of a crystal plane cut out by the wire, β is an angle formed by the cutting direction and a reference axis obtained by vertically projecting the c-axis of the hexagonal semiconductor crystal on the crystal plane cut out by the wire].
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication efficace d'une plaque de cristal semiconducteur hexagonal à faible déformation. Ce procédé de fabrication d'une plaque de cristal semiconducteur hexagonal est un procédé dans lequel une plaque de cristal est obtenue par découpe d'un cristal semiconducteur hexagonal à l'aide d'un fil à scier les cristaux. Le fil à scier se déplace et coupe par rapport au cristal semiconducteur hexagonal de manière à satisfaire à la fois 25° < α ≤ 90° et β = 90° ± 5° [l'angle α est un angle formé par l'axe c du cristal semiconducteur hexagonal et une droite normale au plan du cristal coupé par le fil, l'angle β est un angle formé par un axe de référence, obtenu en projetant verticalement l'axe c sur le cristal semiconducteur hexagonal sur le plan du cristal découpé par le fil, et la direction de coupe].
(JA) 本発明の目的は、反りが小さい六方晶系半導体板状結晶を効率良く製造する方法を提供することにある。 本発明の六方晶系半導体板状結晶の製造方法は、結晶切断用ワイヤーにより六方晶系半導体結晶を切削して板状結晶を製造する方法であって、前記六方晶系半導体結晶に対して25°<α≦90°およびβ=90°±5°[αは六方晶系半導体結晶のc軸とワイヤーにより切り出される結晶面の法線とがなす角度であり、βは六方晶系半導体結晶のc軸をワイヤーにより切り出される結晶面上に垂直投影した基準軸と切削方向とがなす角度である。]の各条件を満たすように前記結晶切断用ワイヤーを移動させて切削する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)