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1. (WO2012090818) NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/090818    International Application No.:    PCT/JP2011/079635
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 21.12.2011
IPC:
H01L 33/22 (2010.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
ARAKI, Masahiro; (For US Only).
YOSHIDA, Shinya; (For US Only).
TAKIGUCHI, Haruhisa; (For US Only).
OGAWA, Atsushi; (For US Only).
KINOSHITA, Takao; (For US Only).
MURATA, Tohru; (For US Only).
FUNAKI, Takeshi; (For US Only).
HOTEIDA, Masayuki; (For US Only)
Inventors: ARAKI, Masahiro; .
YOSHIDA, Shinya; .
TAKIGUCHI, Haruhisa; .
OGAWA, Atsushi; .
KINOSHITA, Takao; .
MURATA, Tohru; .
FUNAKI, Takeshi; .
HOTEIDA, Masayuki;
Agent: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2010-294413 29.12.2010 JP
2011-016496 28.01.2011 JP
2011-066010 24.03.2011 JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEURS À BASE DE NITRURE, ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS À BASE DE NITRURE, ÉLÉMENT DE TRANSISTOR À SEMI-CONDUCTEURS À BASE DE NITRURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEURS À BASE DE NITRURE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS À BASE DE NITRURE
(JA) 窒化物半導体構造、窒化物半導体発光素子、窒化物半導体トランジスタ素子、窒化物半導体構造の製造方法および窒化物半導体素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a nitride semiconductor structure in which a first nitride semiconductor ground layer (4) is provided on a substrate (1) having on the surface thereof recesses (1b) and projections (1a) disposed between the recesses (1b), the first nitride semiconductor ground layer (4) has on the outside of the projections (1a) at least six first inclined facet faces (4r) surrounding the projections (1a), and a second nitride semiconductor ground layer (5) is obtained by embedding the first inclined facet faces (4r) therein. Also provided are nitride semiconductor light-emitting elements (100, 200, 500), nitride semiconductor transistor elements (300, 400, 600), a method for manufacturing the nitride semiconductor structure, and a method for manufacturing nitride semiconductor elements (100, 200, 300, 400, 500, 600).
(FR)La présente invention concerne une structure de semi-conducteurs à base de nitrure. Une première couche de fond de semi-conducteurs à base de nitrure (4) est déposée sur un substrat (1) présentant à sa surface des renfoncements (1b) et des protubérances (1a) disposées entre les renfoncements (1b). La première couche de fond de semi-conducteurs à base de nitrure (4) comporte, sur l'extérieur des protubérances (1a), au moins six premières faces à facettes inclinées (4r) entourant les protubérances (1a), et une seconde couche de fond de semi-conducteurs à base de nitrure (5) est obtenue en y incorporant les premières faces à facettes inclinées (4r). L'invention concerne également des éléments électroluminescents à semi-conducteurs à base de nitrure (100, 200, 500), des éléments de transistor à semi-conducteurs à base de nitrure (300, 400, 600), un procédé de fabrication de la structure de semi-conducteurs à base de nitrure, et un procédé de fabrication d'éléments à semi-conducteurs à base de nitrure (100, 200, 300, 400, 500, 600).
(JA) 凹部(1b)と凹部(1b)の間に設けられた凸部(1a)とを表面に有する基板(1)上に第1の窒化物半導体下地層(4)を設け、第1の窒化物半導体下地層(4)は、凸部(1a)の外側において、凸部(1a)を取り囲む少なくとも6つの第1の斜めファセット面(4r)を有し、第2の窒化物半導体下地層(5)は、第1の斜めファセット面(4r)を埋めてなる窒化物半導体構造、窒化物半導体発光素子(100,200,500)、窒化物半導体トランジスタ素子(300,400,600)、窒化物半導体構造の製造方法および窒化物半導体素子(100,200,300,400,500,600)の製造方法である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)