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Pub. No.:    WO/2012/090794    International Application No.:    PCT/JP2011/079547
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 20.12.2011
H01L 29/786 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUKIZONO Hiroshi; (For US Only)
Inventors: MATSUKIZONO Hiroshi;
Agent: OKUDA Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Priority Data:
2010-289440 27.12.2010 JP
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor device (1001) is provided with: a thin film transistor (103) that has a gate electrode (3a), source and drain electrodes (13as, 13ad), and an oxide semiconductor layer (7); and a source bus line (13s). The source electrode, source bus line, and drain electrode contain a first metal element. The oxide semiconductor layer contains a second metal element. When viewed from the direction of a line normal to the substrate, at least part of the source electrode, at least part of the source bus line, and at least part of the drain wiring are superimposed on the oxide semiconductor layer. Low reflection layers (4s, 4d) that contain the first and second metal elements and have lower reflectivity for visible light than the source electrode are formed between the source electrode and the oxide semiconductor layer, between the source bus line and the oxide semiconductor layer, and between the drain wiring and the oxide semiconductor layer.
(FR)Le dispositif semi-conducteur (1001) selon l'invention comporte : un transistor à couche mince (103) qui a une électrode de gâchette (3a), des électrodes de source et de drain (13as, 13ad) et une couche semi-conductrice d'oxyde (7) ; et une ligne de bus de source (13s). L'électrode de source, la ligne de bus de source, et l'électrode de drain contiennent un premier élément métallique. La couche semi-conductrice d'oxyde contient un deuxième élément métallique. Vu depuis la direction d'une ligne normale par rapport au substrat, au moins une partie de l'électrode de source, au moins une partie de la ligne de bus de source, et au moins une partie du circuit de drain sont superposées sur la couche semi-conductrice d'oxyde. Des couches à faible réflexion (4s, 4d) qui contiennent les premier et deuxième éléments métalliques et ont une réflectivité plus faible pour la lumière visible que l'électrode de source sont formées entre l'électrode de source et la couche semi-conductrice d'oxyde, entre la ligne de bus de source et la couche semi-conductrice d'oxyde, et entre le circuit de drain et la couche semi-conductrice d'oxyde.
(JA) 半導体装置(1001)は、ゲート電極(3a)、ソースおよびドレイン電極(13as、13ad)、酸化物半導体層(7)を有する薄膜トランジスタ(103)と、ソースバスライン(13s)とを備え、ソース電極、ソースバスラインおよびドレイン電極は第1の金属元素を含んでおり、酸化物半導体層は第2の金属元素を含んでおり、基板の法線方向から見たとき、ソース電極の少なくとも一部、ソースバスラインの少なくとも一部およびドレイン配線の少なくとも一部は、酸化物半導体層と重なっており、ソース電極と酸化物半導体層との間、ソースバスラインと酸化物半導体層との間、および、ドレイン配線と酸化物半導体層との間には、第1および第2の金属元素を含み、ソース電極よりも可視光に対する反射率の低い低反射層(4s、4d)が形成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)