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1. (WO2012090643) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL AND SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/090643    International Application No.:    PCT/JP2011/077779
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 01.12.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: SANYO Electric Co., Ltd. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKAHAMA, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKAHAMA, Tsuyoshi; (JP)
Agent: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Priority Data:
2010-294548 29.12.2010 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL AND SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE, AINSI QUE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法及び太陽電池
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method that can easily manufacture a back surface junction type solar cell with a high photoelectric conversion ratio. A second semiconductor layer (25) having a first conductivity type that is the same as a semiconductor substrate (10) is formed on substantially the entirety of a first main surface inclusive of being on an insulator layer (23). Part of the second semiconductor layer (25) situated on the insulator layer (23) is eliminated and an opening part formed. The insulator layer (23) that is exposed through the opening part with the second semiconductor layer (13n) as a mask is eliminated, and part of the surface of a first semiconductor region (12p) is exposed. Electrodes (14, 15) electrically connecting the surface of the first semiconductor region (12p) and the surface of the second semiconductor layer (13n) are formed.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de fabriquer facilement une cellule solaire du type à jonction par la surface postérieure, offrant un rapport de conversion photoélectrique élevé. Une seconde couche semi-conductrice (25) ayant un premier type de conductivité qui est le même que celui d'un substrat semi-conducteur (10) est formée sur sensiblement la totalité d'une première surface principale, y compris une partie qui est placée sur une couche isolante (23). Une partie de la seconde couche semi-conductrice (25) située sur la couche isolante (23) est éliminée et une ouverture est formée. La couche isolante (23) qui est exposée par l'ouverture avec la seconde couche semi-conductrice (13n) servant de masque est éliminée et une partie de la surface d'une première région semi-conductrice (12p) est exposée. Des électrodes (14, 15) connectant électriquement la surface de la première région semi-conductrice (12p) et la surface de la seconde couche semi-conductrice (13n) sont formées.
(JA) 光電変換率が高い裏面接合型の太陽電池を容易に製造し得る方法を提供する。 半導体基板10と同じ第1の導電型を有する第2の半導体層25を、絶縁層23の表面上を含んで一主面の略全面上に形成する。第2の半導体層25の絶縁層23上に位置する一部を除去し、開口部を形成する。第2の半導体層13nをマスクとして開口部から露出する絶縁層23を除去し、第1の半導体領域12pの表面の一部を露出させる。第1の半導体領域12pの表面と、第2の半導体層13nの表面とに電気的に接続する電極14,15を形成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)