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1. (WO2012090474) METHOD FOR PROCESSING ELECTRODE FILM, METHOD FOR PROCESSING MAGNETIC FILM, LAMINATE HAVING MAGNETIC FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THE LAMINATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/090474    International Application No.:    PCT/JP2011/007269
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 26.12.2011
Chapter 2 Demand Filed:    25.10.2012    
IPC:
H01L 43/12 (2006.01), C23F 1/02 (2006.01), C23F 4/00 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01F 41/34 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Applicants: CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (For All Designated States Except US).
KIMURA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOYOSATO, Tomohiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KIMURA, Kazuhiro; (JP).
TOYOSATO, Tomohiko; (JP)
Agent: OKABE, Yuzuru; No.602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2010-291273 27.12.2010 JP
Title (EN) METHOD FOR PROCESSING ELECTRODE FILM, METHOD FOR PROCESSING MAGNETIC FILM, LAMINATE HAVING MAGNETIC FILM, AND METHOD FOR PRODUCING THE LAMINATE
(FR) PROCÉDÉ POUR TRAITER UN FILM D'ÉLECTRODE, PROCÉDÉ POUR TRAITER UN FILM MAGNÉTIQUE, STRATIFIÉ AYANT UN FILM MAGNÉTIQUE, ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE LE STRATIFIÉ
(JA) 電極膜の加工方法、磁性膜の加工方法、磁性膜を有する積層体、および該積層体の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a laminate having a magnetic film, a method for producing the laminate and a method for processing a magnetic film, wherein an Si compound deposited on the side wall or bottom of an underlayer is removed when a pattern that is formed on an insulating silicon compound (such as SiO2) is transferred to the underlayer, and wherein deterioration in the shape of a mask for transferring the pattern to the underlayer can be reduced. A laminate having a magnetic film according to one embodiment of the present invention is provided with a magnetic film (35), an electrode film (34) that is formed on the magnetic film (35), an Ru film (33) that is formed on the electrode film (34) and an insulating silicon compound film (32) that is formed on the Ru film (33).
(FR)La présente invention porte sur un stratifié qui a un film magnétique, sur un procédé pour produire le stratifié et sur un procédé pour traiter un film stratifié, dans lesquels un composé de Si déposé sur la paroi latérale ou sur le bas d'une couche inférieure est retiré lorsqu'un motif qui est formé sur un composé de silicium isolant (tel que le SiO2) est transféré à la couche inférieure, et dans lesquels une détérioration de la forme d'un masque pour transférer le motif à la couche inférieure peut être réduite. Un stratifié ayant un film magnétique selon un mode de réalisation de la présente invention comporte un film magnétique (35), un film d'électrode (34) qui est formé sur le film magnétique, un film de Ru (33) qui est formé sur le film d'électrode (34) et un film de composé de silicium isolant (32) qui est formé sur le film de Ru (33).
(JA) 本発明は、絶縁性珪素化合物(例えば、SiO)に形成されたパターンを下層に転写する際に、下層の側壁や裾に堆積したSi化合物の除去を行い、且つ下層にパターンを転写するためのマスク形状の劣化を低減可能な、磁性膜を有する積層体、該積層体の製造方法、および磁性膜の加工方法を提供する。本発明の一実施形態に係る、磁性膜を有する積層体は、磁性膜(35)と、該磁性膜35上に形成された電極膜(34)と、該電極膜(34)上に形成されたRu膜(33)と、該Ru膜(33)上に形成された絶縁性珪素化合膜(32)とを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)