WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Machine translation
1. (WO2012090421) PLASMA CVD DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/090421    International Application No.:    PCT/JP2011/007038
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 16.12.2011
C23C 16/503 (2006.01), C01B 31/02 (2006.01), C23C 16/27 (2006.01)
Applicants: CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (For All Designated States Except US).
XU, Ge [CN/JP]; (JP) (For US Only).
YAMANAKA, Kazuto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIROISHI, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIRAMATSU, Shogo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: XU, Ge; (JP).
YAMANAKA, Kazuto; (JP).
HIROISHI, Tsutomu; (JP).
Agent: OKABE, Yuzuru; No.602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2010-294007 28.12.2010 JP
(JA) プラズマCVD装置
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) device with which it is possible to control film properties and control substrate temperature during film formation. A process chamber (21) according to one embodiment of the present invention is provided with: a holder (1) for holding a substrate; a magnetic field formation means (29) for generating a magnetic field within the process chamber; a shield (28) for reducing the accumulation of film on the magnetic field formation means; a heat dissipation sheet (32) for reducing heating of the magnetic field formation means; and a movement means (33) for moving the magnetic field formation means (29). The magnetic field formation means is characterized by moving in a direction that increases and decreases the volume between the magnetic field formation means and the holder. This configuration changes the distribution of plasma density within the process chamber, and specifically in the vicinity of the substrate, and as a result, it is possible to change the speed of film formation or the substrate temperature without changing other conditions such as voltage.
(FR)La présente invention propose un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma avec lequel il est possible de réguler des propriétés de film et de réguler une température de substrat au cours d'une formation de film. Une chambre de traitement (21) selon un mode de réalisation de la présente invention comporte : un dispositif de support (1) pour supporter un substrat ; un moyen de formation de champ magnétique (29) pour générer un champ magnétique à l'intérieur de la chambre de traitement ; un écran (28) pour réduire l'accumulation de film sur le moyen de formation de champ magnétique ; une feuille de dissipation de chaleur (32) pour réduire le chauffage du moyen de formation de champ magnétique ; et un moyen de déplacement (33) pour déplacer le moyen de formation de champ magnétique (29). Le moyen de formation de champ magnétique est caractérisé en ce qu'il se déplace dans une direction qui augmente et diminue le volume entre le moyen de formation de champ magnétique et le dispositif de support. Cette configuration change la distribution de densité de plasma à l'intérieur de la chambre de traitement et, de manière spécifique, au voisinage du substrat, et, en conséquence, il est possible de changer la vitesse de formation de film ou la température de substrat sans changer d'autres conditions telles que la tension.
(JA) 本発明は、成膜の際に基板温度を制御しつつ膜特性を制御することが可能なプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置を提供する。本発明の一実施形態の係るプロセス室(21)は、基板を保持するホルダ(1)と、プロセス室内に磁場を発生させる磁場形成手段(29)と、磁場形成手段への膜の堆積を低減するためのシールド(28)と、磁場形成手段の加熱を低減するための放熱シート(32)と、磁場形成手段(29)を移動させる移動手段(33)と、を備える。磁場形成手段は、磁場形成手段とホルダとの間の体積が増減する方向に移動されることを特徴とする。この構成により、プロセス室内の、特に基板の近傍のプラズマ密度の分布を変化させ、その結果、電圧等の他の条件を変えなくとも成膜速度や基板温度を変化させることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)