WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012090404) NONVOLATILE STORAGE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/090404    International Application No.:    PCT/JP2011/006912
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 12.12.2011
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
YONEDA, Shinichi; (For US Only).
MIKAWA, Takumi; (For US Only)
Inventors: YONEDA, Shinichi; .
MIKAWA, Takumi;
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2010-291368 27.12.2010 JP
Title (EN) NONVOLATILE STORAGE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE STOCKAGE NON VOLATIL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 不揮発性記憶素子、その製造方法
Abstract: front page image
(EN)A nonvolatile storage element of the present invention is provided with a variable resistance element (104a), which has: a first electrode layer (103); a second electrode layer (105); and a variable resistance layer (104), which is disposed between the first electrode layer (103) and the second electrode layer (105), and which has a resistance value reversibly varied on the basis of electrical signals applied to between the first electrode layer (103) and the second electrode layer (105). The variable resistance element is also provided with a fixed resistance layer (108), which has a predetermined resistance value, and which is laminated on the variable resistance layer (104). The variable resistance layer (104) has an oxygen-deficient first transition metal oxide layer (106), and a second transition metal oxide layer (107), which has an oxygen content rate higher than that of the first transition metal oxide layer (106), and the predetermined resistance value is 70-1,000 Ω.
(FR)Un élément de stockage non volatil de la présente invention comporte un élément de résistance variable (104a), qui comporte : une première couche d'électrode (103) ; une seconde couche d'électrode (105) ; et une couche de résistance variable (104), qui est disposée entre la première couche d'électrodes (103) et la seconde couche d'électrode (105) et qui a une valeur de résistance que l'on fait varier de façon réversible sur la base de signaux électriques appliqués entre la première couche d'électrode (103) et la seconde couche d'électrode (105). L'élément de résistance variable comporte également une couche de résistance fixe (108), qui a une valeur de résistance prédéterminée et qui est laminée sur la couche de résistance variable (104). La couche de résistance variable (104) a une première couche d'oxyde de métal de transition pauvre en oxygène (106), et une seconde couche d'oxyde de métal de transition (107), qui a un taux de teneur en oxygène supérieur à celui de la première couche d'oxyde de métal de transition (106), et la valeur de résistance prédéterminée est de 70-1000 Ω.
(JA)本発明の不揮発性記憶素子は、第1電極層(103)と、第2電極層(105)と、第1電極層(103)と第2電極層(105)との間に介在し、第1電極層(103)及び第2電極層(105)の間に与えられる電気的信号に基づいて抵抗値が可逆的に変化する抵抗変化層(104)とを有する抵抗変化素子(104a)と、所定の抵抗値を有し、抵抗変化層(104)に積層される固定抵抗層(108)とを備え、抵抗変化層(104)は、酸素不足型の第1の遷移金属酸化物層(106)と、第1の遷移金属酸化物層(106)よりも高い酸素含有率をもつ第2の遷移金属酸化物層(107)とを有し、所定の抵抗値は、70Ω以上かつ1000Ω以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)