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1. (WO2012088790) LED LIGHT MODULE AND LED CHIP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/088790    International Application No.:    PCT/CN2011/071417
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 01.03.2011
IPC:
F21V 29/00 (2006.01), F21Y 101/02 (2006.01)
Applicants: QIN, Biao [CN/CN]; (CN)
Inventors: QIN, Biao; (CN)
Agent: SHENZHEN HEVEI INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; Room609, Fangda Building High-Tech Industrial Park, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518057 (CN)
Priority Data:
201010623452.7  27.12.2010 CN
Title (EN) LED LIGHT MODULE AND LED CHIP
(FR) MODULE DE LUMIÈRE À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET PUCE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(ZH) LED光模组和LED芯片
Abstract: front page image
(EN)An LED light module and an LED chip are provided. LED wafers (1) are provided on one side of a heat spreading plate (3) made of copper, aluminum or copper-aluminum composite material with a thickness of more than 0.4mm and with an area of 5 times of the sum area of the LED wafers or larger to reduce the heat-flow density. A high- voltage insulation plate (2) made of a ceramic wafer, which is sintered into ceramics, with a thickness of more than 0.15mm is provided between the other side of the heat spreading plate (3) and a heat absorptive face of a thermal conductive core (5). An outer layer insulator (4) is arranged around an edge side wall of the heat spreading plate (3) and is connected with the high- voltage insulation plate (2). The thermal conductive core (5) adopts a conical or tapered spiral column structure to solve the problem of contact thermal conduction between the LED light module and the thermal dissipation plate. The LED light module and the LED chip can effectively reduce the internal conductive thermal resistor, raise the insulation degree and reduce the package cost.
(FR)L'invention porte sur un module de lumière à diodes électroluminescentes (DEL) et sur une puce de diode électroluminescente (DEL). Des tranches de diodes électroluminescentes (DEL) (1) sont disposées sur un côté d'une plaque d'étalement de chaleur (3) réalisée en cuivre, en aluminium ou en un matériau composite cuivre-aluminium avec une épaisseur de plus de 0,4 mm et avec une surface de 5 fois la somme de la surface des tranches de diodes électroluminescentes (DEL) ou plus de façon à réduire la densité d'écoulement de chaleur. Une plaque d'isolation à haute tension (2) constituée par une tranche de céramique, qui est frittée sous la forme d'une céramique, présentant une épaisseur de plus de 0,15 mm, est disposée entre l'autre côté de la plaque d'étalement de chaleur (3) et une face d'absorption de chaleur d'un cœur thermiquement conducteur (5). Un isolateur de couche externe (4) est disposé autour d'une paroi latérale de bord de la plaque d'étalement de chaleur (3), et est relié à la plaque d'isolation à haute tension (2). Le cœur thermiquement conducteur (5) adopte une structure en colonne spirale conique ou effilée afin de résoudre le problème de conduction thermique par contact entre le module de lumière à diode électroluminescente (DEL) et la plaque de dissipation thermique. Le module de lumière à diodes électroluminescentes (DEL) et la puce de diode électroluminescente (DEL) peuvent réduire efficacement la résistance thermique conductrice interne, élever le degré d'isolation et réduire le coût du boîtier.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)