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1. (WO2012088755) CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION SLURRY CONTAINING ORGANIC ACID FOR SILICON AND COPPER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/088755    International Application No.:    PCT/CN2011/002133
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 19.12.2011
Chapter 2 Demand Filed:    24.09.2012    
IPC:
C09G 1/02 (2006.01)
Applicants: ANJI MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD [CN/CN]; Suite 602, Building #5, No.3000 Longdong Ave.. Zhangjiang Hi-Tech Park Pudong, Shanghai 201203 (CN) (For All Designated States Except US).
XU, Chun [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: XU, Chun; (CN)
Agent: HANHONG LAW FIRM; Room 1506-07 New HuangPu Financial Building No. 61 East Nanjing Road Shanghai 200002 (CN)
Priority Data:
201010609227.8 28.12.2010 CN
Title (EN) CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION SLURRY CONTAINING ORGANIC ACID FOR SILICON AND COPPER
(FR) BOUILLIE DE PLANARISATION MÉCANO-CHIMIQUE CONTENANT UN ACIDE ORGANIQUE POUR DU SILICIUM ET DU CUIVRE
(ZH) 含有机酸的硅和铜化学机械平坦化浆料
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a chemical mechanical planarization slurry containing organic acid for silicon and copper, comprises abrasive particles, an oxidant, an organic acid-type polishing rate regulating agent, and may further comprise a pH regulating agent, a surfactant, a stabilizer, a corrosion inhibitor, a sterilant and the like. The polishing rate adjusting agent can be one of or a mixture of a multiple of, an organic acid, an amino acid, an organic phosphonic acid and an organic sulfonic acid. The disclosed chemical mechanical planarization slurry can simultaneously obtain relatively high removal rates for both silicon and copper, regulate the polishing selection ratio of copper to silicon in chemical mechanical polishing, and control the local or overall corrosive effect of the metallic material, substantially free of surface defects, scratches, stains and other residual contaminants on the substrate.
(FR)L'invention porte sur une bouillie de planarisation mécano-chimique contenant un acide organique pour du silicium et du cuivre, comprenant des particules abrasives, un oxydant et un agent d'ajustement de la vitesse de polissage de type acide organique et elle peut en outre comprendre un agent d'ajustement du pH, un tensioactif, un stabilisant, un inhibiteur de corrosion, un agent stérilisant et similaire. L'agent d'ajustement de la vitesse de polissage peut être un agent choisi parmi un acide organique, un acide aminé, un acide phosphonique organique et un acide sulfonique organique ou un mélange de plusieurs de ces agents. La bouillie de planarisation mécano-chimique de l'invention permet simultanément d'obtenir des vitesses d'élimination relativement élevées à la fois pour le silicium et pour le cuivre, d'ajuster le taux de sélectivité de polissage du cuivre par rapport au silicium en polissage mécano-chimique et de lutter contre l'effet de corrosion locale ou globale du matériau métallique, pratiquement sans défauts de surface, rayures, taches et autres contaminants résiduels sur le substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)