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1. (WO2012088688) A MEMS MICROPHONE AND METHOD FOR PACKAGING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2012/088688 International Application No.: PCT/CN2010/080486
Publication Date: 05.07.2012 International Filing Date: 30.12.2010
IPC:
H04R 19/00 (2006.01)
Applicants: WANG, Zhe[SG/SG]; SG (UsOnly)
SONG, Qinglin[CN/CN]; CN (UsOnly)
PANG, Shengli[CN/CN]; CN (UsOnly)
GU, Fanghui[CN/CN]; CN (UsOnly)
GOERTEK INC.[CN/CN]; No.268 Dongfang Road Hi-Tech Industry Development District Weifang, Shandong 261031, CN (AllExceptUS)
Inventors: WANG, Zhe; SG
SONG, Qinglin; CN
PANG, Shengli; CN
GU, Fanghui; CN
Agent: BEIJING GRANDER IP LAW FIRM; Suite 18A6, East Wing, Hanwei Plaza No.7 Guanghua Road Chaoyang District Beijing 100004, CN
Priority Data:
Title (EN) A MEMS MICROPHONE AND METHOD FOR PACKAGING THE SAME
(FR) MICROPHONE MEMS ET PROCÉDÉ ASSOCIÉ DE MISE SOUS BOÎTIER
Abstract: front page image
(EN) The present invention relates to a MEMS microphone and a method of manufacturing the same, the MEMS microphone comprising: a monolithic silicon chip incorporating an acoustic sensing element and one or more conditioning CMOS integrated circuits; a silicon-based carrier chip having an acoustic cavity; a substrate for surface mounting the assembly of the monolithic chip and the silicon-based carrier chip thereon; a conductive cover attached and electrically connected to the substrate to accommodates the assembly of the monolithic chip and the silicon- based carrier chip; and an acoustic port formed on either the conductive cover or the substrate for an external acoustic wave to reach the acoustic sensing element, wherein the monolithic silicon chip, the silicon-based carrier chip and the acoustic port are configured in such a way that the diaphragm of the acoustic sensing element can be vibrated by the external sound wave from one side thereof.
(FR) La présente invention se rapporte à un microphone MEMS et à un procédé pour sa fabrication. Le microphone MEMS selon l'invention comprend : une puce monolithique au silicium comprenant un élément de détection acoustique et un ou plusieurs circuits intégrés CMOS de conditionnement; un boîtier de puce à base de silicium, comprenant une cavité acoustique; un substrat pour recevoir en surface l'ensemble composé de la puce monolithique et du boîtier de puce à base de silicium; un couvercle conducteur fixé au substrat et connecté électriquement au substrat, et qui est prévu pour recevoir l'ensemble composé de la puce monolithique et du boîtier de puce à base de silicium; et un port acoustique, qui est formé sur le couvercle conducteur ou sur le substrat, ce port acoustique étant prévu pour permettre à une onde acoustique externe de parvenir jusqu'à l'élément de détection acoustique. L'invention est caractérisée en ce que la puce monolithique au silicium, le boîtier de puce à base de silicium et le port acoustique sont configurés de façon à ce que la membrane de l'élément de détection acoustique puisse être amenée à vibrer sous l'action de l'onde acoustique externe, à partir de l'un de ses côtés.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)