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1. (WO2012087569) ALTERNATE PAGE BY PAGE PROGRAMMING SCHEME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2012/087569 International Application No.: PCT/US2011/063584
Publication Date: 28.06.2012 International Filing Date: 06.12.2011
IPC:
G11C 11/56 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
11
Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56
using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
06
Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
34
Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
04
using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
Applicants:
SANDISK TECHNOLOGIES INC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024, US (AllExceptUS)
LI, Yan [US/US]; US (UsOnly)
Inventors:
LI, Yan; US
Agent:
CLEVELAND, Michael, G.; 505 Montgomery Street, Suite 800 San Francisco, California 94111, US
Priority Data:
12/974,81721.12.2010US
Title (EN) ALTERNATE PAGE BY PAGE PROGRAMMING SCHEME
(FR) PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION À ALTERNANCE PAGE PAR PAGE
Abstract:
(EN) An alternate page by page scheme for the multi -state programming of data into non-volatile memory is presented. Pages of data are written a page at a time onto word lines of the memory. After all of the pages of data are written to, first level of resolution onto one word line, the memory goes back to the adjacent word line (on which all of the pages of data have previously been written to the first level of resolution) and refines the accuracy with which the data had been written on this preceding word line. This can reduce the effects on the data of capacitive coupling between the word lines.
(FR) L'invention porte sur un procédé d'alternance page par page pour la programmation à plusieurs états de données dans une mémoire non volatile. Des pages de données sont écrites une page à la fois sur des lignes de mots (WL) de la mémoire. Une fois que toutes les pages de données ont été écrites à un premier niveau de résolution sur une ligne de mots, la mémoire retourne à la ligne de mots adjacente (sur laquelle toutes les pages de données ont été précédemment écrites au premier niveau de résolution) et affine la précision avec laquelle les données ont été écrites sur cette ligne de mots précédente. Cela peut réduire les effets sur les données d'un couplage capacitif entre les lignes de mots.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)