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1. WO2012073483 - MARK DETECTION METHOD, LIGHT EXPOSURE METHOD AND LIGHT EXPOSURE DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE

Publication Number WO/2012/073483
Publication Date 07.06.2012
International Application No. PCT/JP2011/006646
International Filing Date 29.11.2011
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027
Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34165
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
B
MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11
Measuring arrangements characterised by the use of optical means
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
9
Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67
Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components
683
for supporting or gripping
H01L 21/027 (2006.01)
G01B 11/00 (2006.01)
G03F 9/00 (2006.01)
H01L 21/683 (2006.01)
CPC
G03F 7/70775
G03F 9/7003
G03F 9/7088
H01L 21/67265
H01L 21/67294
Applicants
  • 株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区有楽町一丁目12番1号 12-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331, JP (AllExceptUS)
  • 金谷 有歩 KANAYA, Yuho [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventors
  • 金谷 有歩 KANAYA, Yuho; JP
Agents
  • 立石 篤司 TATEISHI, Atsuji; 東京都多摩市唐木田一丁目53番地9 唐木田センタービル 立石国際特許事務所 TATEISHI & CO., Karakida Center Bldg., 1-53-9, Karakida, Tama-shi, Tokyo 2060035, JP
Priority Data
2010-26493529.11.2010JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) MARK DETECTION METHOD, LIGHT EXPOSURE METHOD AND LIGHT EXPOSURE DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE REPÈRE, PROCÉDÉ D'EXPOSITION LUMINEUSE ET DISPOSITIF D'EXPOSITION LUMINEUSE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF
(JA) マーク検出方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
Abstract
(EN)
An alignment mark (AM) provided on a wafer (W) using an alignment system is imaged while a wafer stage is actuated on the basis of a measurement result of a position measuring system, and the position of the alignment mark (AM) is sought from an imaging position (dx, dy) of the alignment mark (AM) that is sought from the imaging result, and the position of the wafer stage at the time of imaging that is sought from the measurement result of the position measuring system. During imaging of the alignment mark, the wafer stage is actuated at a constant velocity over a movement distance that is an integral multiple of a measuring period of the position measuring system, and the position of the wafer stage at the time of imaging is sought from the average of the measurement results of the position measuring system. Precise alignment measurement is made possible thereby without being affected by periodic error of the position measuring system.
(FR)
Selon l'invention, l'image d'un repère d'alignement (AM) disposée sur une tranche (W) à l'aide d'un système d'alignement est formée tandis qu'une platine de tranche est actionnée sur la base d'un résultat de mesure d'un système de mesure de position, et la position du repère d'alignement (AM) est recherchée à partir d'une position de formation d'image (dx, dy) du repère d'alignement (AM) qui est recherchée à partir du résultat de formation d'image, et de la position de la platine de tranche au moment de la formation d'image qui est recherchée à partir du résultat de mesure du système de mesure de position. Durant la formation de l'image du repère de l'alignement, la platine de tranche est actionnée à une vitesse constante sur une distance de déplacement qui est un multiple entier d'une période de mesure du système de mesure de position, et la position de la platine de tranche lors de la formation de l'image est recherchée à partir de la moyenne des résultats de mesure du système de mesure de position. Une mesure d'alignement précise est ainsi rendue possible, sans être affectée par l'erreur périodique du système de mesure de position.
(JA)
 位置計測系の計測結果に基づいてウエハステージを駆動しつつ、アライメント系を用いてウエハ(W)上に設けられたアライメントマーク(AM)を撮像し、この撮像結果から求められるアライメントマーク(AM)の撮像位置(dx、dy)と、位置計測系の計測結果から求められる撮像時におけるウエハステージの位置と、からアライメントマーク(AM)の位置が求められる。アライメントマークの撮像中、ウエハステージを位置計測系の計測周期の整数倍の移動距離、等速駆動するとともに、位置計測系の計測結果の平均から撮像時におけるウエハステージの位置を求める。これにより、位置計測系の周期誤差の影響を受けることなく、精度良くアライメント計測を行うことが可能となる。
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Latest bibliographic data on file with the International Bureau