(EN) A metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) and a manufacturing method thereof are provided. The MOSFET comprises a silicon on insulator (SOI) wafer composed of a lower semiconductor substrate (101), a first buried oxide layer (102) and a first semiconductor layer (11); a source area and a drain area formed in a second semiconductor layer (13) on the SOI wafer, wherein a second buried oxide layer (12) separates the second semiconductor layer (13) from the SOI wafer; a channel area formed in the second semiconductor layer (13) and sandwiched between the source and the drain; a gate dielectric layer (15) and a gate conductor (16) formed on the second semiconductor layer (13); wherein, the MOSFET further comprises a back-gate (17) formed under the channel and in the first semiconductor layer (11), wherein the back-gate is doped unevenly and the second buried oxide layer (12) acts as the gate dielectric layer of the back-gate (17).
(FR) L'invention concerne un transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) et son procédé de production. Le MOSFET comprend une tranche de silicium-sur-isolant (SOI) composée d'un substrat semi-conducteur inférieur (101), d'une première couche d'oxyde enterrée (102) et d'une première couche semi-conductrice (11) ; une zone source et une zone drain formées dans une seconde couche semi-conductrice (13) sur la tranche SOI, une seconde d'oxyde enterrée (12) séparant la seconde couche semi-conductrice (13) de la tranche SOI ; une zone de canal formée dans la seconde couche semi-conductrice (13) et prise en sandwich entre la source et le drain ; une couche diélectrique de grille (15) et un conducteur de grille (16) formés sur la seconde couche semi-conductrice (13). Le MOSFET comprend également une grille arrière (17) formée sous le canal et dans la première couche semi-conductrice (11), ladite grille arrière étant dopée de manière inégale et la seconde couche d'oxyde enterrée (12) agissant en tant que couche diélectrique de grille de la grille arrière (17).