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1. WO2012063431 - MANUFACTURING METHOD FOR POLYCRYSTALLINE SILICON AND MANUFACTURING SYSTEM FOR POLYCRYSTALLINE SILICON

Publication Number WO/2012/063431
Publication Date 18.05.2012
International Application No. PCT/JP2011/006119
International Filing Date 01.11.2011
IPC
C01B 33/035 2006.01
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
021Preparation
027by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
035by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
CPC
C01B 33/035
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
02Silicon
021Preparation
027by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
035by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
Applicants
  • 信越化学工業株式会社 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 祢津 茂義 NETSU, Shigeyoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 黒澤 靖志 KUROSAWA, Yasushi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventors
  • 祢津 茂義 NETSU, Shigeyoshi
  • 黒澤 靖志 KUROSAWA, Yasushi
Agents
  • 大野 聖二 OHNO, Seiji
Priority Data
2010-25308111.11.2010JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) MANUFACTURING METHOD FOR POLYCRYSTALLINE SILICON AND MANUFACTURING SYSTEM FOR POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET SYSTÈME DE FABRICATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコンの製造方法および多結晶シリコンの製造システム
Abstract
(EN)
The present invention provides technology that allows lowering the voltage of initial conduction to a silicon core by uniformly heating the silicon core without using such a heating source as a carbon heater. An exhaust gas introduction line for initial heating (30) for the silicon core is connected to an exhaust line and a feedstock gas supply line of each reactor. One portion of the exhaust gas from another reactor undergoing reaction is supplied to the furnace through a gas nozzle (3) from the exhaust gas introduction line for initial heating (30) for the silicon core, whereupon the silicon core (5) is initially heated to a temperature that is at or above 300°C so as to form electrical resistance through which current efficiently flows to the silicon core (5). Next, from metal electrodes (2), current is supplied to the silicon core (5) through a core holder (20) so as to heat the silicon core (5) to between 900°C and 1300°C. Then, together with hydrogen gas, trichlorosilane gas is supplied as feedstock gas at a low flow rate in order to start vapor deposition of the polycrystalline silicon.
(FR)
Cette invention concerne une technique qui permet d'abaisser la tension de conduction initiale appliquée à un cœur de silicium par chauffage uniforme dudit cœur de silicium sans utiliser de source de chauffage telle qu'un chauffage de lit à eau Carbon Heater. Une conduite d'introduction de gaz d'échappement pour le chauffage initial (30) du cœur de silicium est raccordée à une conduite d'échappement et à une conduite d'alimentation en gaz de charge de départ de chaque réacteur. Une partie des gaz d'échappement provenant d'un autre réacteur en cours de réaction est injectée dans le four par l'intermédiaire d'une buse à gaz (3) de la conduite d'introduction de gaz d'échappement pour le chauffage initial (30) du cœur de silicium, de sorte que le cœur de silicium (5) est initialement chauffé à une température qui est de 300°C ou plus de manière à créer une résistance électrique par laquelle le courant circule efficacement jusqu'au cœur de silicium (5). Ensuite, à partir des électrodes métalliques (2), un courant est délivré au cœur de silicium (5) par l'intermédiaire d'un porte-cœur (20) de manière à chauffer le cœur de silicium (5) entre 900 et 1300°C. Puis, conjointement avec du gaz hydrogène, un gaz trichlorosilane est injecté à titre de gaz de charge de départ à un bas débit afin de démarrer le dépôt en phase vapeur du silicium polycristallin.
(JA)
 本発明は、カーボンヒータ等の加熱源を用いることなくシリコン芯線を均一に加熱することにより、シリコン芯線への初期通電の電圧を低くすることを可能とする技術を提供する。シリコン芯線の初期加熱用排ガス導入ライン30が、各反応炉の排ガスラインと原料ガス供給ラインに接続されている。シリコン芯線の初期加熱用排ガス導入ライン30から、ガスノズル3を通して、反応中の他の反応炉からの排ガスの一部を炉内に供給し、シリコン芯線5に電流が効率的に流れる電気抵抗となるように、シリコン芯線5を300℃以上の温度に初期加熱する。続いて、金属電極2から、芯線ホルダ20を介してシリコン芯線5に電流を供給してシリコン芯線5を900℃~1300℃に加熱する。そして、水素ガスとともにトリクロロシランガスを原料ガスとして低流量で供給し、多結晶シリコンの気相成長を開始する。
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