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1. WO2012059426 - METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELLS ATTENUATING THE LID PHENOMENA

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[ FR ]

REVENDICATIONS MODIFIÉES

reçues par le Bureau international le 05 March 2012 (05.03.12)

1. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque à partir d'un substrat silicium cristallin, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une étape d'introduction contrôlée de lacunes dans le substrat silicium à une température et pendant une durée permettant la formation de complexes lacune-oxygène avec l'oxygène contenu dans le substrat silicium, la diffusion de ces complexes lacune-oxygène, et la précipitation de l'oxygène.

2. Procédé de fabrication selon la revendication 1 , dans lequel une étape d'introduction contrôlée de lacunes est réalisée avant une étape de formation d'un émetteur (3) par diffusion de dopant dans le substrat.

3. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque selon la revendication 1 , dans lequel une étape d'introduction de lacunes comprend une ou plusieurs étapes parmi les étapes suivantes : siliciuration, nitruration, implantation ionique, irradiation laser, contrainte mécanique en flexion appliquée sur une face du substrat silicium.

4. Procédé de fabrication selon la revendication 1 , dans lequel une étape d'introduction de lacunes est une étape utilisant un matériau réagissant avec du silicium sur une face du substrat.

5. Procédé de fabrication selon la revendication 4, dans lequel ladite étape utilisant un matériau réagissant avec du silicium est une étape de nitruration.

6. Procédé de fabrication selon la revendication 4, dans lequel ladite étape utilisant un matériau réagissant avec du silicium est une étape de formation d'au moins une couche d'un siliciure, comprenant un dépôt d'une couche métallique suivi d'un recuit à une température favorisant une formation de lacunes dans le substrat.

7. Procédé de fabrication selon la revendication 5, dans lequel ladite étape comprend la formation d'au moins une couche de siliciure sacrificielle.

8. Procédé de fabrication selon la revendication 7, dans lequel une couche de siliciure sacrificielle est réalisée en face arrière du substrat.

9. Procédé de fabrication selon la revendication 8, dans lequel le métal du siliciure est le nickel, et le recuit est formé à une température de l'ordre de 900°C.

10. Procédé selon l'une des revendications 7 à 9, dans lequel la diffusion de phosphore dans le substrat pour former un émetteur est réalisée après retrait de la couche de siliciure sacrificielle.

11. Procédé de fabrication selon la revendication 1 , dans lequel une étape d'introduction des lacunes comprend une étape d'application d'une contrainte mécanique macroscopique sur le substrat sous une température favorisant une formation de lacunes dans le substrat.

12. Procédé de fabrication selon la revendication 1 , dans lequel une étape d'introduction contrôlée de lacunes dans le substrat silicium comprend une étape d'irradiation laser suivie d'un recuit à une température favorisant une formation de lacunes dans le substrat.

13. Procédé de fabrication selon la revendication 1 , dans lequel une étape d'introduction contrôlée de lacunes dans le substrat silicium comprend une étape d'implantation ionique d'hélium ou d'hydrogène suivie d'un recuit à une température favorisant une formation de lacunes dans le substrat.

14. Procédé de fabrication selon la revendication 13, dans lequel l'étape d'implantation ionique, est une étape d'implantation d'hydrogène assistée par plasma.

15. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel une étape d'hydrogénation est réalisée avant l'étape ou les étapes d'introduction de lacunes.

16. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'étape ou les étapes d'introduction de lacunes sont réalisées sous éclairement de la cellule.