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1. (WO2012054688) METHODS FOR ENHANCING TANTALUM FILAMENT LIFE IN HOT WIRE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESSES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/054688    International Application No.:    PCT/US2011/057022
Publication Date: 26.04.2012 International Filing Date: 20.10.2011
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/448 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (For All Designated States Except US).
THAKUR, Bipin [IN/IN]; (IN) (For US Only).
GRIFFITH CRUZ, Joe [US/US]; (US) (For US Only).
KELLER, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GUJAR, Vikas [IN/IN]; (IN) (For US Only).
PATIL, Ravindra, Janu [IN/IN]; (IN) (For US Only)
Inventors: THAKUR, Bipin; (IN).
GRIFFITH CRUZ, Joe; (US).
KELLER, Stefan; (DE).
GUJAR, Vikas; (IN).
PATIL, Ravindra, Janu; (IN)
Agent: TABOADA, Alan; Moser Taboada 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, New Jersey 07702 (US)
Priority Data:
61/405,670 22.10.2010 US
13/267,309 06.10.2011 US
Title (EN) METHODS FOR ENHANCING TANTALUM FILAMENT LIFE IN HOT WIRE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESSES
(FR) PROCÉDÉS PERMETTANT DE PROLONGER LA DURÉE DE VIE D'UN FILAMENT DE TANTALE UTILISÉ DANS DES PROCÉDÉS DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR FILAMENT CHAUD
Abstract: front page image
(EN)Methods for depositing films using hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) processes are provided herein. In some embodiments, a method of operating an HWCVD tool may include providing hydrogen gas (H2) to a filament disposed in a process chamber of the HWCVD tool for a first period of time; and flowing current through the filament to raise the temperature of the filament to a first temperature after the first period of time.
(FR)La présente invention concerne des procédés de dépôt de films par dépôt en phase vapeur assisté par filament chaud (HWCVD). Dans certains modes de réalisation, un procédé d'utilisation d'un outil HWCVD peut comprendre l'apport d'hydrogène gazeux (H2) sur un filament disposé dans une chambre de traitement de l'outil HWCVD pendant une première période de temps ; et le passage d'un courant à travers le filament pour augmenter sa température jusqu'à une première température après la première période de temps.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)