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1. (WO2012054486) MODULATING IMPLANTATION FOR IMPROVED WORKPIECE SPLITTING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/054486    International Application No.:    PCT/US2011/056718
Publication Date: 26.04.2012 International Filing Date: 18.10.2011
IPC:
H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (For All Designated States Except US).
DICKERSON, Gary, E. [US/US]; (US) (For US Only).
BLAKE, Julian, G. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: DICKERSON, Gary, E.; (US).
BLAKE, Julian, G.; (US)
Agent: LUCEK, Nathaniel; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Priority Data:
12/909,225 21.10.2010 US
Title (EN) MODULATING IMPLANTATION FOR IMPROVED WORKPIECE SPLITTING
(FR) MODULATION D'IMPLANTATION POUR FENDAGE AMÉLIORÉ D'UNE PIÈCE À TRAVAILLER
Abstract: front page image
(EN)A first species is implanted into an entire surface of a workpiece and helium is implanted into this entire surface with a non-uniform dose. The first species may be, for example, hydrogen, helium, or nitrogen. The helium has a higher dose at a portion of a periphery of the workpiece. When the workpiece is split, this split is initiated at the periphery with the higher dose. The non-uniform dose may be formed by altering a scan speed of the workpiece or an ion beam current of the helium. In one instance, the non-uniform dose of the helium is larger than a uniform dose of the hydrogen.
(FR)Selon l'invention, une première espèce est introduite dans la totalité de la surface d'une pièce à travailler, et de l'hélium est introduit dans la totalité de cette surface avec une dose non uniforme. La première espèce peut être, par exemple, de l'hydrogène, de l'hélium ou de l'azote. L'hélium présente une dose plus élevée dans une partie d'une périphérie de la pièce à travailler. Lorsque la pièce à travailler est fendue, cette fente est amorcée à la périphérie avec la dose plus élevée. La dose non uniforme peut être formée par modification d'une vitesse de balayage de la pièce à travailler ou d'un courant de faisceau d'ions de l'hélium. Dans un cas, la dose non uniforme de l'hélium est supérieure à une dose uniforme de l'hydrogène.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)