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1. (WO2012054368) HETEROJUNCTION SOLAR CELL INCORPORATING VERTICALLY-ALIGNED NANOWIRES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/054368    International Application No.:    PCT/US2011/056508
Publication Date: 26.04.2012 International Filing Date: 17.10.2011
IPC:
H01L 31/028 (2006.01), H01L 31/0747 (2012.01), H01L 31/077 (2012.01)
Applicants: UT-BATTELLE, LLC [US/US]; One Bethel Valley Road Oak Ridge, Tennessee 37831-6528 (US) (For All Designated States Except US).
QU, Jun [CN/US]; (US) (For US Only).
BESMANN, Theodore M. [US/US]; (US) (For US Only).
DAI, Sheng [US/US]; (US) (For US Only).
ZHANG, Xiaoguang [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: QU, Jun; (US).
BESMANN, Theodore M.; (US).
DAI, Sheng; (US).
ZHANG, Xiaoguang; (US)
Agent: GROLZ, Edward W.; Scully, Scott, Murphy & Presser 400 Garden City Plaza Suite 300 Garden City, New York 11530 (US)
Priority Data:
12/907,476 19.10.2010 US
Title (EN) HETEROJUNCTION SOLAR CELL INCORPORATING VERTICALLY-ALIGNED NANOWIRES
(FR) CELLULE SOLAIRE HYBRIDE DE TYPE MULTIJONCTION COMPORTANT DES NANOFILS EN SILICIUM ALIGNÉS VERTICALEMENT POURVUS DE FILMS MINCES
Abstract: front page image
(EN)A low-cost method is provided for forming a photovoltaic device, which is a high-performance nanostructured multijunction cell. The multiple P-N junctions or P-I-N junctions are contiguously joined to form a single contiguous P-N junction or a single contiguous P-I-N junction. The photovoltaic device integrates vertically-aligned semiconductor nanowires including a doped semiconductor material with a thin silicon layer having an opposite type of doping. This novel hybrid cell can provide a higher efficiency than conventional photovoltaic devices through the combination of the enhanced photon absorptance, reduced contact resistance, and short carrier transport paths in the nanowires. Room temperature processes or low temperature processes such as plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and electrochemical processes can be employed for fabrication of this photovoltaic device in a low-cost, scalable, and energy-efficient manner.
(FR)Cette invention concerne un procédé à bas coût de formation d'un dispositif photovoltaïque qui est une cellule multijonction nanostructurée haute performance. Les multiples jonctions P-N ou jonctions P-I-N sont jointes de manière contiguë pour former une seule jonction P-N contiguë ou une seule jonction P-I-N contiguë. Le dispositif photovoltaïque comporte des nanofils semi-conducteurs alignés verticalement comprenant un matériau semi-conducteur dopé pourvus d'une couche mince de silicium ayant un type de dopage opposé. Cette nouvelle cellule hybride peut fournir un rendement supérieur à des dispositifs photovoltaïques classiques grâce à une combinaison d'une absorbance améliorée des photons, d'une résistance réduite au contact, et des courts trajets de transport dans les nanofils. Des procédés à température ambiante ou des procédés à basses températures tels que des procédés de dépôt chimique en phase vapeur assistés par plasma (PECVD) et électrochimiques peuvent être utilisés pour fabriquer ce dispositif photovoltaïque de manière économique, évolutive et économe en énergie.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)