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1. (WO2012053600) COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING RESIST UNDERLAYER FILM, WHICH CONTAINS FLUORINE-CONTAINING ADDITIVE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/053600    International Application No.:    PCT/JP2011/074174
Publication Date: 26.04.2012 International Filing Date: 20.10.2011
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP) (For All Designated States Except US).
KANNO, Yuta [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAJIMA, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MISAKI, Tomoko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUYAMA, Motonobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HARAGUCHI, Masayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KANNO, Yuta; (JP).
NAKAJIMA, Makoto; (JP).
MISAKI, Tomoko; (JP).
MATSUYAMA, Motonobu; (JP).
HARAGUCHI, Masayuki; (JP)
Agent: HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2010-237288 22.10.2010 JP
Title (EN) COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING RESIST UNDERLAYER FILM, WHICH CONTAINS FLUORINE-CONTAINING ADDITIVE
(FR) COMPOSITION DE FORMATION D'UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT DU SILICIUM ET UN ADDITIF CONTENANT DU FLUOR
(JA) フッ素系添加剤を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a composition for forming a resist underlayer film for lithography applications, which can be used for forming a resist underlayer film that can be used as a hard mask capable of improving coating performance and the shape of a pattern. [Solution] The composition for forming a resist underlayer film for lithography applications comprises (I) a fluorine-containing hyperblanched polymer which is produced by polymerizing, as components, a monomer (A) having at least two radically polymerizable double bonds in the molecule, a monomer (B) having a fluoroalkyl group and at least one radically polymerizable double bond in the molecule and a monomer (D) having a silicon-atom-containing organic group and at least one radically polymerizable double bond in the molecule with one another in the presence of a polymerization initiator (C) in an amount of 5 to 200 mol% inclusive relative to the total molar amount of the monomers (A), (B) and (D) and (II) a silicon-containing compound which comprises, as a component, a hydrolysable silane compound, a hydrolysate of the compound, a hydrolysis-condensation product of the compound or a combination thereof.
(FR)La présente invention a pour objet une composition de formation d'un film de sous-couche de réserve destiné à des applications de lithographie, qui peut servir à former un film de sous-couche de réserve susceptible d'être utilisé comme masque dur permettant d'améliorer les performances de revêtement et la forme d'un motif. La composition de formation d'un film de sous-couche de réserve destiné à des applications de lithographie comprend (I) un polymère hyperbranché contenant du fluor, produit en polymérisant les uns avec les autres un monomère (A) dont la molécule comprend au moins deux liaisons doubles polymérisables radicalement, un monomère (B) contenant un groupe fluoroalkyle et dont la molécule comprend au moins une liaison double polymérisable radicalement, et un monomère (D) contenant un groupe organique contenant des atomes de silicium et dont la molécule comprend au moins une liaison double polymérisable radicalement, en présence d'un initiateur de polymérisation (C) en proportion de 5 à 200 % en mole, limites comprises, par rapport à la quantité molaire totale des monomères (A), (B) et (D), et (II) un composé contenant du silicium qui contient, à titre de composant, un composé silane hydrolysable, un hydrolysat du composé, un produit de condensat d'hydrolyse du composé ou une combinaison de ces éléments.
(JA)【課題】塗布性能、パターン形状を改善することが可能なハードマスクとして使用できるレジスト下層膜を形成するためのリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供することである。 【解決手段】(I)成分として分子内に2個以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーAと、分子内にフルオロアルキル基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーBと、分子内にケイ素原子を有する有機基及び少なくとも1個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーDとを、該モノマーA、該モノマーB及び該モノマーDの合計モルに対して、5モル%以上200モル%以下の重合開始剤Cの存在下で重合させることにより得られる含フッ素高分岐ポリマーと、(II)成分として加水分解性シラン化合物、その加水分解物、その加水分解縮合物、又はそれらの組み合わせであるケイ素含有化合物とを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)