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Pub. No.:    WO/2012/053571    International Application No.:    PCT/JP2011/074083
Publication Date: 26.04.2012 International Filing Date: 13.10.2011
H05B 33/02 (2006.01), F21S 2/00 (2006.01), H01L 33/58 (2010.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01), F21Y 101/02 (2006.01), F21Y 105/00 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
IKEDA, Hisao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SEO, Satoshi; (For US Only)
Inventors: IKEDA, Hisao; (JP).
SEO, Satoshi;
Priority Data:
2010-237647 22.10.2010 JP
Abstract: front page image
(EN)Described is a solid-state light-emitting element, a light-emitting device using the solid-state light-emitting element, and a lighting device using the light-emitting device. The solid-state light-emitting element comprises a member with a low refractive index which has a hemispherical structure on a first surface and an uneven structure on a second surface, a bonding layer with a high refractive index which planarizes the uneven structure, and a light-emitting body whose light-emitting surface is in contact with a flat surface of the bonding layer. The uneven structure of the member with a low refractive index is provided inside at least an outside shape of the hemispherical structure formed on the first surface; and the light-emitting body is provided such that an outside shape of the light-emitting region of the light-emitting body is smaller than the outside shape of the hemispherical structure and overlaps with the hemispherical structure.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteurs, un dispositif électroluminescent utilisant le dispositif électroluminescent à semi-conducteurs et un dispositif d'éclairage utilisant le dispositif électroluminescent. L'élément électroluminescent à semi-conducteurs comporte un organe, ayant un indice de réfraction faible, qui présente une structure hémisphérique sur une première surface et une structure irrégulière sur une seconde surface, une couche de liaison, ayant un indice de réfraction élevé, qui rend plane la structure irrégulière, et un corps électroluminescent dont la surface électroluminescente est en contact avec une surface plate de la couche de liaison. La structure irrégulière de l'organe ayant un indice de réfraction faible est disposée à l'intérieur d'au moins une forme externe de la structure hémisphérique formée sur la première surface, et le corps électroluminescent est disposé de sorte que la forme externe de la région électroluminescente du corps électroluminescent soit plus petite que la forme externe de la structure hémisphérique et se chevauche avec la structure hémisphérique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)