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1. (WO2012053549) GLASS SUBSTRATE FOR CU-IN-GA-SE SOLAR CELLS AND SOLAR CELL USING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/053549    International Application No.:    PCT/JP2011/074049
Publication Date: 26.04.2012 International Filing Date: 19.10.2011
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: Asahi Glass Company, Limited. [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (For All Designated States Except US).
HANAWA Yu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUROIWA Yutaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKASHIMA Tetsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
USUI Reo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HANAWA Yu; (JP).
KUROIWA Yutaka; (JP).
NAKASHIMA Tetsuya; (JP).
USUI Reo; (JP)
Agent: OGURI Shohei; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2010-235349 20.10.2010 JP
Title (EN) GLASS SUBSTRATE FOR CU-IN-GA-SE SOLAR CELLS AND SOLAR CELL USING SAME
(FR) SUBSTRAT EN VERRE POUR PHOTOPILES AU CU-IN-GA-SE ET PHOTOPILE L'UTILISANT
(JA) Cu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板およびそれを用いた太陽電池
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a glass substrate for Cu-In-Ga-Se solar cells that contains, as given in standard mole percentages for the oxides, 55 - 70% SiO2, 6.5 - 12.6% Al2O3, 0 - 1% B2O3, 3 - 10% MgO, 0 - 4.8% CaO, 0 - 2% SrO, 0 - 2% BaO, 0 - 2.5% ZrO2, 0 - 2.5% TiO2, 5.3 - 10.9% Na2O, and 0 - 10% K2O, such that the MgO + CaO + SrO + BaO is 7.7 - 17%, the Na2O + K2O is 10.4 - 16%, the MgO/Al2O3 is 0.9 or less, (2Na2O + K2O + SrO + BaO)/(Al2O3 + ZrO2) is 2.2 or less, and (Na2O + K2O)/Al2O3 × (Na2O/K2O) is 0.9 or greater. The glass transition temperature of the glass substrate is 650 - 750°C; the average coefficient of thermal expansion is 75 × 10-7 - 95 × 10-7/°C at 50 - 350°C; the relationship between the temperature (T4) at which the viscosity is 104 dPa·s and the devitrification temperature (TL) is T4 - TL ≥ -30°C; the density is 2.6 g/cm3 or less; and the brittleness index value is less than 7000 m-1/2. Thus, a glass substrate for CIGS solar cells that satisfies the characteristics for high power generation efficiency, high glass transition temperature, prescribed average coefficient of thermal expansion, high glass strength, low glass density, and devitrification prevention during the formation of plate glass with a good balance can be provided.
(FR)La présente invention porte sur un substrat en verre, pour des photopiles au Cu-In-Ga-Se, qui contient, en termes de pourcentage en mole standard pour les oxydes, 55 à 70 % de SiO2, 6,5 à 12,6 % d'Al2O3, 0 à 1 % de B2O3, 3 à 10 % de MgO, 0 à 4,8 % de CaO, 0 à 2 % de SrO, 0 à 2 % de BaO, 0 à 2,5 % de ZrO2, 0 à 2,5 % de TiO2, 5,3 à 10,9 % de Na2O et 0 à 10 % de K2O, de façon à ce que la somme MgO + CaO + SrO + BaO soit de 7,7 à 17 %, la somme Na2O + K2O soit de 10,4 à 16 %, le rapport MgO/Al2O3 soit inférieur ou égal à 0,9, le rapport (2Na2O + K2O + SrO + BaO)/(Al2O3 + ZrO2) soit inférieur ou égal à 2,2 et le rapport (Na2O + K2O)/Al2O3 × (Na2O/K2O) soit supérieur ou égal à 0,9. La température de transition vitreuse du substrat en verre est de 650 à 750°C ; le coefficient moyen de dilatation thermique est de 75 × 10-7 - 95 × 10-7/°C à 50 à 350°C ; la relation entre la température (T4) à laquelle la viscosité est de 104 dPa·s et la température de dévitrification (TL) est la suivante : T4 - TL ≥ -30°C ; la masse volumique est inférieure ou égale à 2,6 g/cm3, et la valeur de l'indice de fragilité est inférieure à 7000 m-1/2. Ainsi, il est possible d'obtenir un substrat en verre pour des photopiles CIGS qui satisfait aux caractéristiques pour un rendement de production d'énergie électrique élevé, une température de transition vitreuse élevée, un coefficient moyen de dilatation thermique prescrit, une résistance de verre élevée, une faible masse volumique du verre et la prévention de la dévitrification pendant la formation d'une plaque de verre avec un bon équilibre.
(JA) 本発明は、下記酸化物基準のモル百分率表示で、SiO2を55~70%、Al23を6.5~12.6%、B23を0~1%、MgOを3~10%、CaOを0~4.8%、SrOを0~2%、BaOを0~2%、ZrO2を0~2.5%、TiOを0~2.5%、Na2Oを5.3~10.9%、K2Oを0~10%含有し、MgO+CaO+SrO+BaOが7.7~17%、Na2O+K2Oが10.4~16%、MgO/Al23が0.9以下、(2NaO+KO+SrO+BaO)/(Al+ZrO)が2.2以下、(NaO+KO)/Al×(NaO/KO)が0.9以上であり、ガラス転移点温度が650~750℃、50~350℃における平均熱膨張係数が75×10-7~95×10-7/℃、粘度が10dPa・sとなる温度(T)と失透温度(T)との関係がT-T≧-30℃、密度が2.6g/cm以下、脆さ指標値が7000m-1/2未満であるCu-In-Ga-Se太陽電池用ガラス基板を提供する。それにより、高い発電効率と高いガラス転移点温度、所定の平均熱膨張係数、高いガラス強度、低いガラス密度、板ガラス成形時の失透防止の特性をバランスよく満たすCIGS太陽電池用ガラス基板を提供できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)