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1. (WO2012053302) COMPOSITION FOR FORMING OVERLAYING FILM FOR RESIST FOR EUV LITHOGRAPHY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/053302    International Application No.:    PCT/JP2011/071139
Publication Date: 26.04.2012 International Filing Date: 15.09.2011
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), C08F 212/06 (2006.01), C08G 8/10 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKAMOTO, Rikimaru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HO, Bangching [--/JP]; (JP) (For US Only).
ENDO, Takafumi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKAMOTO, Rikimaru; (JP).
HO, Bangching; (JP).
ENDO, Takafumi; (JP)
Agent: HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2010-236121 21.10.2010 JP
Title (EN) COMPOSITION FOR FORMING OVERLAYING FILM FOR RESIST FOR EUV LITHOGRAPHY
(FR) COMPOSITION POUR FORMER UN FILM DE SUPERPOSITION POUR RÉSINE PHOTOSENSIBLE DESTINÉ À LA LITHOGRAPHIE EUV
(JA) EUVリソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a composition that is for forming an EUV resist-overlaying film, is used in an EUV lithography process, does not intermix with the EUV resist, blocks unfavorable exposure light, for example UV light and DUV light, and selectively transmits only EUV light during EUV exposure, and can be developed after exposure using a developing liquid. [Solution] The composition is for forming an EUV resist-overlaying film, is used in an EUV lithography step, contains a solvent and a resin containing a naphthalene ring at a primary or side chain, and the resin contains, as a hydrophilic group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a sulfo group, or a monovalent organic group containing at least one group from among said groups.
(FR)L'invention concerne une composition destinée à former un film de superposition pour résine photosensible EUV, qui s'utilise dans un procédé de lithographie EUV, ne se mélange pas à la résine photosensible EUV, bloque la lumière d'exposition indésirable, par exemple la lumière UV et la lumière DUV, et ne transmet sélectivement que la lumière EUV pendant une exposition EUV, et peut être développée après l'exposition au moyen d'un liquide de développement. Cette composition, destinée à former un film de superposition pour résine photosensible EUV et qui est utilisée dans une étape de lithographie EUV, contient un solvant et une résine contenant un noyau naphtalène sur une chaîne primaire ou latérale, ladite résine contenant, comme groupe hydrophile, un groupe hydroxyle, un groupe carboxyle, un groupe sulfo ou un groupe organique monovalent qui contient au moins un desdits groupes.
(JA)【課題】EUVレジストとインターミキシングすることなく、EUV露光に際して好ましくない露光光、例えばUV光やDUV光を遮断してEUV光のみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能なEUVリソグラフィープロセスに用いるEUVレジスト上層膜形成組成物を提供する。【解決手段】主鎖又は側鎖にナフタレン環を含む樹脂及び溶剤を含むEUVリソグラフィー工程に用いるEUVレジスト上層膜形成組成物であって、樹脂が親水性基としてヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホ基、又はこれらの基のうち少なくとも一つの基を含む一価の有機基を含む、EUVレジスト上層膜形成組成物。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)