WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012053253) COMPOSITE SUBSTRATE HAVING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/053253    International Application No.:    PCT/JP2011/063951
Publication Date: 26.04.2012 International Filing Date: 17.06.2011
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
HORI, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HARADA, Shin [JP/JP]; (JP) (For US Only).
INOUE, Hiroki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SASAKI, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ITOH, Satomi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAMIKAWA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HORI, Tsutomu; (JP).
HARADA, Shin; (JP).
INOUE, Hiroki; (JP).
SASAKI, Makoto; (JP).
ITOH, Satomi; (JP).
NAMIKAWA, Yasuo; (JP)
Agent: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2010-234238 19.10.2010 JP
Title (EN) COMPOSITE SUBSTRATE HAVING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE AYANT UN SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
(JA) 単結晶炭化珪素基板を有する複合基板
Abstract: front page image
(EN)A first vertex (P1) of a first single crystal silicon carbide substrate (11) and a second vertex (P2) of a second single crystal silicon carbide substrate (12) are positioned adjacent with each other such that a first side (S1) of the first single crystal silicon carbide substrate (11) and a second side (S2) of the second single crystal silicon carbide substrate (12) are aligned in a straight line. In addition, at least part of the first side (S1) and at least part of the second side (S2) are positioned adjacent with a third side (S3) of a third single crystal silicon carbide substrate (13). Thus, process variations caused by gaps between the single crystal silicon carbide substrates can be controlled in the manufacture of a semiconductor device using a composite substrate.
(FR)Un premier sommet (P1) d'un premier substrat (11) de carbure de silicium monocristallin et un second sommet (P2) d'un deuxième substrat (12) de carbure de silicium monocristallin sont positionnés adjacents l'un par rapport à l'autre de telle sorte qu'un premier côté (S1) du premier substrat (11) de carbure de silicium monocristallin et un deuxième côté (S2) du second substrat (12) de carbure de silicium monocristallin sont alignés en une ligne droite. De plus, au moins une partie du premier côté (S1) et au moins une partie du deuxième côté (S2) sont positionnées adjacentes à un troisième côté (S3) d'un troisième substrat (13) de carbure de silicium monocristallin. Ainsi, des variations de traitement causées par des intervalles entre les substrats de carbure de silicium monocristallin peuvent être contrôlées dans la fabrication d'un dispositif semi-conducteur à l'aide d'un substrat composite.
(JA) 第1の単結晶炭化珪素基板(11)の第1の辺(S1)と、第2の単結晶炭化珪素基板(12)の第2の辺(S2)とが直線状に並ぶように、第1の単結晶炭化珪素基板(11)の第1の頂点(P1)と、第2の単結晶炭化珪素基板(12)の第2の頂点(P2)とが互いに突き合わされている。また第1の辺(S1)の少なくとも一部と、第2の辺(S2)の少なくとも一部とが、第3の単結晶炭化珪素基板(13)の第3の辺(S3)に突き合わされている。これにより、複合基板を用いた半導体装置の製造において単結晶炭化珪素基板の間の隙間に起因した工程変動を抑制することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)