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1. (WO2012053178) SEMICONDUCTOR JUNCTION STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR JUNCTION STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/053178    International Application No.:    PCT/JP2011/005790
Publication Date: 26.04.2012 International Filing Date: 17.10.2011
IPC:
H01L 21/52 (2006.01), B23K 1/00 (2006.01), H05K 3/34 (2006.01), B23K 35/26 (2006.01), C22C 13/00 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAMURA, Taichi; (For US Only).
FURUSAWA, Akio; (For US Only).
SAKATANI, Shigeaki; (For US Only).
KITAURA, Hidetoshi; (For US Only).
ISHIMARU, Yukihiro; (For US Only)
Inventors: NAKAMURA, Taichi; .
FURUSAWA, Akio; .
SAKATANI, Shigeaki; .
KITAURA, Hidetoshi; .
ISHIMARU, Yukihiro;
Agent: TOKKYOGYOMUHOUJIN MATSUDAKOKUSAITOKKYOJIMUSYO; Shin-Osaka Ikushima bldg. 1-3, Miyahara 5-chome Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka 5320003 (JP)
Priority Data:
2010-237514 22.10.2010 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR JUNCTION STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR JUNCTION STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE JONCTION SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE JONCTION SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体接合構造体および半導体接合構造体の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention addresses the problem of obtaining a semiconductor junction structure having superior stress absorption and possessing heat resistance at the same time. The junction structure has a semiconductor element (102) and an electrode (103) joined by a solder material, wherein a joint (212) has a first intermetallic compound layer (207') formed on the electrode side, a second intermetallic compound layer (208') formed on the semiconductor element side, and a third layer (300) composed of a Sn-containing phase (210) and a rod-like intermetallic compound part (209') sandwiched between the first intermetallic compound layer (207') and the second intermetallic compound layer (208'). The rod-like intermetallic compound part (209') is joined as an interlayer both to the first intermetallic compound layer (207') and to the second intermetallic compound layer (208').
(FR)La présente invention vise à obtenir une structure de jonction semi-conductrice ayant une absorption de contrainte supérieure et possédant en même temps une résistance à la chaleur. La structure de jonction a un élément semi-conducteur (102) et une électrode (103) joints par un matériau de brasure, un joint (212) ayant une première couche de composé intermétallique (207') formée du côté de l'électrode, une deuxième couche de composé intermétallique (208') formée du côté de l'élément semi-conducteur, et une troisième couche (300) composée d'une phase contenant du Sn (210) et d'une partie de composé intermétallique en forme de baguettes (209') intercalée entre la première couche de composition intermétallique (207') et la deuxième couche de composition intermétallique (208'). La partie de composé intermétallique en forme de baguettes (209') est jointe sous forme d'intercouche aussi bien à la première couche de composé intermétallique (207') et à la deuxième couche de composé intermétallique (208').
(JA) 優れた応力緩和性を有し、同時に耐熱性も有する半導体接合構造体を得ること。 半導体素子(102)と電極(103)がはんだ材料により接合された接合構造体であって、接合した部分(212)は、電極側に形成された第1金属間化合物層(207')と、半導体素子側に形成された第2金属間化合物層(208')と、第1金属間化合物層(207')および第2金属間化合物層(208')の2つの層で挟まれた、Snを含む相(210)および棒状金属間化合物部(209')とで構成された第3の層(300)と、を有し、棒状金属間化合物部(209')が、第1金属間化合物層(207')と第2金属間化合物層(208')の両方に層間接合している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)