WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012053124) HIGH FREQUENCY SWITCH CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/053124    International Application No.:    PCT/JP2011/000423
Publication Date: 26.04.2012 International Filing Date: 26.01.2011
IPC:
H03K 17/693 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
SUZAKI, Hidefumi; (For US Only).
MIYAZAKI, Takahito; (For US Only)
Inventors: SUZAKI, Hidefumi; .
MIYAZAKI, Takahito;
Agent: PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE; 3rd Fl., Bo-eki Bldg., 123-1 Higashimachi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
Priority Data:
2010-233946 18.10.2010 JP
Title (EN) HIGH FREQUENCY SWITCH CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE COMMUTATION HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波用スイッチ回路
Abstract: front page image
(EN)Provided is a high frequency switch circuit capable of switching with a high performance and a small power consumption and at a low cost without using a power source other than a control voltage. A high frequency switch circuit provided with: a first and a second rectifier circuit (12, 22) which respectively contain at least one rectifier element (D11, D12, D21, D22) such that the direction from the respective control terminals (CT1, CT2) to the ground (GND) becomes a forward direction as a consequence of the first and second rectifier circuits (12, 22) being connected to a point between the gate terminal of the respective MOSFET circuits (11, 21) and the respective control terminals (CT1, CT2) on one end and to the ground (GND) on the other end; and a connecting unit (3) to which the forward direction current input terminal side of at least one of the rectifier elements of the first and second rectifier circuits (12, 22) and the main terminal side of the first or second MOSFET circuit (11, 21) are connected. .
(FR)L'invention concerne un circuit de commutation haute fréquence pouvant assurer une commutation haute performance, consommer peu d'électricité et être peu couteux du fait que la seule source d'énergie utilisée est celle d'une tension de commande. Le circuit de commutation haute fréquence de l'invention comprend : un premier et un deuxième circuit de redresseur (12, 22) qui contiennent respectivement au moins un élément de redresseur (D11, D12, D21, D22) de manière que la direction des bornes de commande respectives (CT1, CT2) à la terre (GND) devienne une direction « avant » du fait que les premier et deuxième circuits de redresseur (12, 22) sont reliés à un point entre la borne de porte des circuits MOSFET respectifs (11, 21) et les bornes de commande respectives (CT1, CT2) à une extrémité et à la terre (GND) à l'autre extrémité ; et une unité de connexion (3) à laquelle sont connectés, d'une part, le côté borne d'entrée de courant « direction avant » d'au moins un des éléments de redresseur des premier et deuxième circuits de redresseur (12, 22) et, d'autre part, le côté borne principale du premier ou deuxième circuit MOSFET (11, 21). .
(JA) 制御電圧以外の電源を用いることなく低消費電力かつ低コストで高性能に切り替え動作を行うことができる高周波用スイッチ回路を提供する。第1および第2MOSFET回路(11,21)のゲート端子と第1および第2制御端子(CT1,CT2)との間に一端が接続され、他端がグランド(GND)に接続されることにより、第1および第2制御端子(CT1,CT2)からグランド(GND)へ向かう方向が順方向となるような少なくとも1つの整流素子(D11,D12,D21,D22)を含む第1および第2整流回路(12,22)と、第1および第2整流回路(12,22)の整流素子の少なくとも1つの順方向電流入力端子側と第1および第2MOSFET回路(11,21)の何れかの主端子側とが接続された接続部(3)とを備えている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)